[发明专利]半导体装置以及电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置(100～103、200～202、300、301、400～402、500、600、601)，其特征在于，

具备半导体基板(30)，该半导体基板(30)具有：

第1面(S1)；以及

第2面(S2)，与所述第1面相反，具有内侧区域(RI)和所述内侧区域的外侧的外侧区域(RO)，

所述半导体基板(30)包括：

漂移层(1)，具有第1导电类型；

终端阱区域(2、20)，具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型，在所述第2面(S2)上具有从所述内侧区域(RI)与所述外侧区域(RO)之间向所述外侧区域(RO)延伸的部分，

所述半导体装置(100～103、200～202、300、301、400～402、500、600、601)还具备：

第1电极(8)，设置于所述半导体基板(30)的所述第1面(S1)上；

第2电极(5、50)，设置于所述半导体基板(30)的所述内侧区域(RI)的至少一部分之上，向所述终端阱区域(2、20)电连接，具有位于所述内侧区域(RI)和所述外侧区域(RO)的边界上的缘；

周边构造(7、7M)，离开所述第2电极(5、50)而设置于所述半导体基板(30)的所述外侧区域(RO)的一部分之上；以及

表面保护膜(6)，覆盖所述第2电极(5、50)的所述缘，至少部分性地覆盖所述半导体基板(30)的所述外侧区域(RO)，通过所述周边构造(7、7M)被陷入，由与所述周边构造(7、7M)的材料不同的绝缘材料构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置(300、301、400～402、600、601)，其特征在于，

所述周边构造(7M)由具有导电性的材料构成。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置(100～103、200～202、300、301、400～402、500、600、601)，其特征在于，

所述周边构造(7、7M)的外周端位于比所述终端阱区域(2、20)的外周端靠内周侧。

4.根据权利要求3所述的半导体装置(100～103、200～202、300、301、400～402、500、600、601)，其特征在于，

将在向所述半导体装置(100～103、200～202、300、301、400～402、500、600、601)施加了最大电压时从所述漂移层(1)和所述终端阱区域(2、20)的边界延伸的耗尽层定义为最大耗尽层(MDL)，

所述周边构造(7、7M)离开所述最大耗尽层。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置(301、401、402、500、600、601)，其特征在于，

所述终端阱区域(2、20)在所述半导体基板的所述第2面包括第1部分(2a、21a)和具有比所述第1部分(2a、21a)的杂质浓度高的杂质浓度的第2部分(2b、21b)，

所述周边构造(7、7M)的外周端位于比所述终端阱区域(2、20)的所述第2部分(2b、21b)的外周端靠内周侧。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置(100～103、200～202、300、301、400～402、500、600、601)，其特征在于，

所述第2电极(5、50)与所述周边构造(7、7M)之间的距离是所述第2电极(5、50)以及所述周边构造(7、7M)的至少任意一个的厚度以下。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置(102)，其特征在于，

所述周边构造(7)具有外侧部分(7o)和离开所述外侧部分(7o)而位于所述外侧部分(7o)与所述第2电极(5)之间的内侧部分(7i)，所述表面保护膜(6)陷入于所述内侧部分(7i)与所述外侧部分(7o)之间。