[发明专利]原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法

说明书

本发明涉及一种原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法。根据本发明的用于在基板形成原子层的原子层沉积装置包括：基板移送部，用于安置基板，并向第一方向及与所述第一方向不同的第二方向移送所述基板；气体供应部，布置于通过所述基板移送部而移送的所述基板的上方，并且包括供应源气体的源气体供应模块、供应反应气体的反应气体供应模块、布置于所述源气体供应模块与所述反应气体供应模块之间的吹扫气体供应模块；以及气体供应管部，包括连接所述源气体供应模块和源气体供应源的源气体供应管、连接所述反应气体供应模块和反应气体供应源的反应气体供应管，其中，所述源气体供应模块及所述反应气体供应模块中的至少一个能够根据所述基板移送部的基板移送方向而改变对基板的气体供应方向。

技术领域

本发明涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。

背景技术

通常，作为在半导体基板或玻璃等的基板上沉积预定厚度的薄膜的方法有如溅镀(sputtering)等利用物理碰撞的物理气相沉积法(PVD：physical vapor deposition)和利用化学反应的化学气相沉积法(CVD：chemical vapor deposition)等。

近来，随着半导体元件的设计规则(design rule)急剧微细化，要求微细图案的薄膜，并且形成薄膜的区域的阶梯差也变得非常大，因此不仅能够非常均匀地形成原子层厚度的微细图案，而且阶梯覆盖性也(step coverage)优异的原子层沉积方法(ALD：atomiclayer deposition)的使用正在增加。

这种原子层沉积方法在利用气体分子间的化学反应这一点上与一般的化学气相沉积方法相似。但是，与通常的CVD将向工艺腔室内同时注入多个气体分子而产生的反应生成物沉积于基板的方式不同，原子层沉积方法的差异在于，将包括一个源物质的气体注入到工艺腔室内而使其吸附于加热的基板，之后将包括另一个源物质的气体注入到工艺腔室，从而在基板表面沉积通过源物质之间的反应而产生的生成物。

然而，在原子层沉积工艺的情况下，由于源气体和反应气体之间的反应性的限制，存在沉积时间长的问题。

因此，为了减少原子层沉积工艺中的沉积时间，提出了使基板在工艺腔室内移动并按各个沉积区域供应源气体或反应气体来执行原子层沉积的空间分割方式等的原子层沉积方法。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种提高原子层沉积性能而能够更快地形成高品质的原子层的原子层沉积装置及利用其的原子层沉积方法。

技术方案

根据本发明的实施例的一侧面的用于在基板形成原子层的原子层沉积装置可以包括：基板移送部，用于安置基板，并向第一方向及与所述第一方向不同的第二方向移送所述基板；气体供应部，布置于通过所述基板移送部而移送的所述基板的上方，并且包括供应源气体的源气体供应模块、供应反应气体的反应气体供应模块、布置于所述源气体供应模块与所述反应气体供应模块之间的吹扫气体供应模块；以及气体供应管部，包括连接所述源气体供应模块和源气体供应源的源气体供应管、连接所述反应气体供应模块和反应气体供应源的反应气体供应管，其中，所述源气体供应模块及所述反应气体供应模块中的至少一个能够根据所述基板移送部的基板移送方向而改变对基板的气体供应方向。

并且，所述源气体供应模块及所述反应气体供应模块中的至少一个可以包括：气体供应喷嘴主体，在内部形成有与所述源气体供应模块及所述反应气体供应模块中的一个连接的第一末端气体供应流路及第二末端气体供应流路，其中，所述第一末端气体供应流路向相对于第三方向以预设的第一供应角度倾斜的方向对基板供应所述源气体及所述反应气体中的一个，所述第三方向与形成所述基板的平面正交并从所述气体供应部朝向所述基板，其中，所述第一末端气体供应流路及所述第二末端气体供应流路可以根据所述基板的移送方向而交替地激活。