[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201880096595.1 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN112567495B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;华子群;胡思平;王家文;王涛;朱继锋;丁滔滔;王新胜;朱宏斌;程卫华;杨士宁 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一基底；
在所述第一基底表面上的第一粘附/键合叠层，所述第一粘附/键合叠层包括至少一层第一粘附层和至少一层第一键合层，所述第一粘附层和第一键合层分别采用不同的材料，所述第一键合层的材料为包括Si、N和C的介质材料，所述第一粘附层的材料为包括Si和N的介质材料，所述第一键合层中C的原子浓度随第一键合层厚度增加而增大；
其中，所述第一基底表面与一第一粘附层接触，所述第一粘附/键合叠层表面为一第一键合层表面，所述第一粘附层与所述第一基底界面两侧的材料组分基本相同、所述第一键合层与所述第一粘附层界面两侧的材料组分基本相同。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层中，C的原子浓度大于0且小于50％。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一粘附层还含C；所述第一粘附层中，C的原子浓度均匀分布，或者C的原子浓度随第一粘附层厚度增加而逐渐改变。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一粘附/键合叠层中的C浓度在所述第一粘附/键合叠层的厚度方向上渐变。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一粘附/键合叠层中的各层的致密度在所述第一粘附/键合叠层的厚度方向上渐变。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层的厚度大于所述第一粘附层的厚度大于
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二基底，所述第二基底表面形成有第二粘附/键合叠层，所述第二粘附/键合叠层与所述第一粘附/键合叠层表面相对键合固定。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第二粘附/键合叠层与所述第一粘附/键合叠层具有相同的材料与结构。
9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
贯穿所述第一粘附/键合叠层的第一键合垫；贯穿所述第二粘附/键合叠层的第二键合垫；所述第一键合垫与第二键合垫相对键合连接。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一基底；
在所述第一基底表面形成第一粘附/键合叠层，所述第一粘附/键合叠层包括堆叠的至少一层第一键合层和至少一层第一粘附层，所述第一键合层和第一粘附层分别采用不同的材料，所述第一键合层的材料为包括Si、N和C的介质材料，所述第一粘附层的材料为包括Si和N的介质材料，所述第一键合层中C的原子浓度随第一键合层厚度增加而增大，所述第一粘附层位于所述第一基底表面，所述第一键合层位于所述第一粘附层表面，所述第一粘附层与所述第一基底界面两侧的材料组分基本相同、所述第一键合层与所述第一粘附层界面两侧的材料组分基本相同。
11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层中，C的原子浓度大于0且小于50％。
12.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一粘附层还含C；所述第一粘附层中，C的原子浓度均匀分布，或者C的原子浓度随第一粘附层厚度增加而逐渐改变。
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一粘附/键合叠层中的C浓度在所述第一粘附/键合叠层的厚度方向上渐变，或者所述第一粘附/键合叠层中的各层的致密度在所述第一粘附/键合叠层的厚度方向上渐变。
14.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层的厚度大于所述第一粘附层的厚度大于
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880096595.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电梯
- 下一篇：扫描探针显微镜以及使用扫描探针显微镜的物理性质测定方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
