[发明专利]浆料及其筛选方法、以及研磨方法在审
| 申请号： | 201880097068.2 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112930585A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 野村理行;岩野友洋;松本贵彬;长谷川智康;久木田友美 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浆料 及其 筛选 方法 以及 研磨 | ||
1.一种浆料，其为含有磨粒及液态介质的浆料，其中，
所述磨粒包含选自由金属氧化物及金属氢氧化物组成的组中的至少一种金属化合物，
所述金属化合物包含可具有多个价数的金属，
在通过使所述浆料与被研磨面接触而使所述磨粒与所述被研磨面接触时，所述浆料给出作为所述金属的所述多个价数中最小的价数的比例在X射线光电子分光法中为0.13以上的值。
2.根据权利要求1所述的浆料，其中，
所述最小的价数为三价。
3.根据权利要求1或2所述的浆料，其中，
所述金属包含稀土金属。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的浆料，其中，
所述金属包含铈。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的浆料，其中，
所述浆料中的所述磨粒的ζ电位为+10mV以上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的浆料，其中，
所述被研磨面包含选自由硅、铝、钴、铜、镓、锗、砷、钌、铟、锡、铪、铊、钨及铂组成的组中的至少一种。
7.一种浆料的筛选方法，其包括：
通过使含有磨粒及液态介质的浆料与被研磨面接触而使所述磨粒与所述被研磨面接触的工序；以及
测定工序，在所述磨粒接触于所述被研磨面的状态下，利用X射线光电子分光法测定所述磨粒中所含的金属的价数，
所述磨粒包含选自由金属氧化物及金属氢氧化物组成的组中的至少一种金属化合物，
所述金属化合物包含可具有多个价数的金属，
在所述测定工序中，获得所述金属的所述多个价数中最小的价数的比例。
8.一种研磨方法，其包括使用作为权利要求7所述的浆料的筛选方法的所述测定工序中所获得的所述价数的比例而给出0.13以上的值的浆料，对所述被研磨面进行研磨的工序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工材料株式会社，未经昭和电工材料株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880097068.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：眼科装置
- 下一篇：用于确定车辆环境的语义网格的电子设备、系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
