[发明专利]金属接合体和金属接合体的制造方法以及半导体装置和波导路有效
| 申请号： | 201880097386.9 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112739485B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 井岛乔志;山崎浩次 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | B23K20/00 | 分类号： | B23K20/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 接合 制造 方法 以及 半导体 装置 波导 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属接合体，是在Ag-Cu-Zn层的两面接合有Cu-Zn层的金属接合体，其特征在于，所述Ag-Cu-Zn层在将整体设为100原子％时，Cu成分为1原子％以上且10原子％以下，Zn成分为1原子％以上且40原子％以下，余量为Ag成分，所述Cu-Zn层在将整体设为100原子％时，Zn成分为10原子％以上且40原子％以下，余量为Cu成分。
2.一种半导体装置，其特征在于，是将半导体元件与绝缘基板用权利要求1所述的金属接合体接合的半导体装置。
3.一种波导路，其特征在于，由长条状的上构件和长条状的下构件构成，所述长条状的下构件与该上构件用权利要求1所述的金属接合体接合、且与所述上构件形成空腔。
4.权利要求1所述的金属接合体的制造方法，是将依次形成有Cu-Zn层、Cu层和Ag层的层叠体接合以形成金属接合体的金属接合体的制造方法，其特征在于，具备：使所述层叠体的所述Ag层相互面对地接触的工序；和一边对所述Ag层彼此接触的所述层叠体加压一边在300℃以上且不到400℃的温度下进行加热处理的工序。
5.根据权利要求4所述的金属接合体的制造方法，其特征在于，所述Cu层的厚度为0.1μm以上且5μm以下，所述Ag层的厚度为0.1μm以上且15μm以下。
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