[发明专利]液晶显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201880097510.1 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN112703446A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 平田贡祥;下敷领文一 | 申请(专利权)人: | 堺显示器制品株式会社;夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 叶乙梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示面板,所述液晶显示面板的显示模式为VA模式,且具有多个长方形的像素区域,所述液晶显示面板的特征在于,所述液晶显示面板包括:
第一基板部,其具有第一基板和设置于所述第一基板上的像素电极;
液晶层,其设置于所述第一基板部上,且包括液晶分子;
第一垂直取向膜,其设置于所述第一基板部与所述液晶层之间;
第二基板部,其设置于所述液晶层上,并且具有第二基板和设置于所述第二基板下的相对电极;
第二垂直取向膜,其设置于所述第二基板部与所述液晶层之间;
所述液晶层中与所述各像素区域对应的部分具有沿所述像素区域的长边方向排列的第一液晶畴、第二液晶畴、第三液晶畴和第四液晶畴,
将与所述像素区域的长边方向正交的方向定义为所述像素区域的短边方向,将沿着所述短边方向的方位定义为0°时,所述第一液晶畴的液晶分子的取向方位实质上为315°,且所述第二液晶畴的液晶分子的取向方位实质上为45°,且所述第三液晶畴的液晶分子的取向方位实质上为225°,且所述第四液晶畴的液晶分子的取向方位实质上为135°,
所述第一垂直取向膜具有从下侧限制所述第一液晶畴、第二液晶畴、第三液晶畴以及第四液晶畴的液晶分子的取向的第一下取向限制部、第二下取向限制部、第三下取向限制部以及第四下取向限制部,
所述第二垂直取向膜具有从上侧限制所述第一液晶畴、第二液晶畴、第三液晶畴以及第四液晶畴的液晶分子的取向的第一上取向限制部、第二上取向限制部、第三上取向限制部以及第四上取向限制部,
所述第一、第三下取向限制部以及所述第一、第三上取向限制部、或者所述第二、第四下取向限制部以及所述第二、第四上取向限制部分别包括:
第一高预倾角区域,其设置于沿所述像素区域的长边方向的方向的一侧;
第二高预倾角区域,其设置于沿所述像素区域的长边方向的另一侧;以及
低预倾角区域,其设置于所述第一高预倾角区域与所述第二高预倾角区域之间,与所述第一高预倾角区域、第二高预倾角区域相比预倾角小,
所述第一、第三下取向限制部以及所述第一、第三上取向限制部分别具有所述第一、第二高预倾角区域以及低预倾角区域时,
所述第一下取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域与所述第一上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相对,并且与所述第一上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相比,沿所述像素区域的长边方向的方向的长度更短,
所述第三下取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域与所述第三上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相对,并且与所述第三上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相比,沿所述像素区域的长边方向的方向的长度更短,
另一方面,所述第二、第四下取向限制部以及所述第二、第四上取向限制部分别具有所述第一、第二高预倾角区域以及低预倾角区域时,
所述第二下取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域与所述第二上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相对,并且与所述第二上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相比,沿所述像素区域的长边方向的方向的长度更短,
所述第四下取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域与所述第四上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相对,并且与所述第四上取向限制部的所述第一、第二高预倾角区域相比,沿所述像素区域的长边方向的方向的长度更短。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,
所述第一、第三下取向限制部以及所述第一、第三上取向限制部分别具有所述第一、第二高预倾角区域以及低预倾角区域时,
所述第二、第四下取向限制部的各部分的预倾角与所述第一、第三下取向限制部的所述低预倾角区域的预倾角大致相同,
所述第二、第四上取向限制部的各部分的预倾角与所述第一、第三上取向限制部的所述低预倾角区域的预倾角大致相同。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,
所述第二、第四下取向限制部以及所述第二、第四上取向限制部分别具有所述第一、第二高预倾角区域以及所述低预倾角区域时,
所述第一、第三下取向限制部的各部分的预倾角与所述第二、第四下取向限制部的所述低预倾角区域的预倾角大致相同;
所述第一、第三上取向限制部的各部分的预倾角与所述第二、第四上取向限制部的所述低预倾角区域的预倾角大致相同。
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