[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201880097690.3 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN112740373A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 吉田秀成;佐佐木隆史;冈岛优作 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:
处理室,其收纳多个基板;
气体供给部,其向上述处理室内的上述基板供给处理气体;
气体排气部,其从上述处理室排出上述处理气体;以及
圆板,其设于上述多个基板之间且靠近上述基板的背面。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
载置多个上述基板的基板保持件,
上述基板保持件具备多个支柱,该多个支柱具有支撑上述基板的基板支撑部,
多个上述圆板固定于上述支柱。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
上述基板支撑部以上述基板的表面侧的空间比上述基板的背面侧的空间大的方式设置于多个上述支柱。
4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置,其特征在于,
多个上述支柱从上述基板的缘分离大致26mm~30mm。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
相邻的上述基板之间的距离比上述圆板的缘与上述处理室的壁之间的距离大。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
相邻的上述基板之间的距离为大致50~60mm以上。
7.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述处理气体的分解量少的反应的成膜的情况下,上述基板保持件和上述处理室构成为,使相邻的上述基板之间的距离比上述基板的缘与上述处理室的壁之间的距离大。
8.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
在上述处理气体的分解量多的反应的成膜的情况下,上述基板保持件和上述处理室构成为,使相邻的上述基板之间的距离比上述基板的缘与上述处理室的壁之间距离小。
9.根据权利要求2~8中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述气体供给部包括喷嘴,该喷嘴设有向上述基板供给反应气体的多个孔,
上述气体供给部和上述基板保持件构成为,多个上述孔分别位于上述基板与上述圆板之间的大致中间。
10.根据权利要求2~9中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述处理室在设置有上述基板保持件的处理区域的下部具备从上述处理区域隔离的具有隔热部件的隔热区域。
11.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述基板保持件和上述处理室构成为,相邻的上述圆板间的距离比上述圆板的缘与上述处理室的壁之间的距离大。
12.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
上述基板保持件构成为,上述基板的背面与上述圆板的距离比上述圆板的缘与上述处理室的壁之间的距离大。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造