[发明专利]连接的场效应晶体管在审
申请号: | 201880097969.1 | 申请日: | 2018-09-24 |
公开(公告)号: | CN112703597A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | E·马丁;R·西西利;T·亚马施塔 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;B41J2/175 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 史婧;王玮 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 场效应 晶体管 | ||
示例包括流体模具。流体模具包括场效应晶体管阵列,该阵列包括第一尺寸的场效应晶体管和第二尺寸的场效应晶体管。至少一个连接构件将场效应晶体管阵列的至少一些场效应晶体管互连。流体模具还包括连接到第一组场效应晶体管的第一流体致动器,该第一组场效应晶体管具有至少一个第一尺寸的场效应晶体管。模具包括第二流体致动器,该第二流体致动器连接到第二相应的场效应晶体管组,该第二相应的场效应晶体管组具有与阵列的至少一个其他场效应晶体管互连的第二尺寸的第一相应的场效应晶体管。
背景技术
流体模具可以处理小体积流体。例如,流体模具的喷嘴可以有助于喷射液滴。在一些流体模具中,各种电气部件可用于分析、输送和/或执行用于流体模具的流体的其他这样的过程。因此,电气部件的各种布置可以在流体模具中实施,以实现和控制这种过程的性能。一些示例性流体模具可以是流体喷射模具,其中可以经由流体喷射模具的喷嘴可控地喷射液滴。
附图说明
图1是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图2是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图3是图示示例性流体模具的一些部件的逻辑图。
图4是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图5是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图6是图示示例性流体模具的一些部件的逻辑图。
图7是图示示例性流体模具的一些部件的逻辑图。
图8是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图9是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图10是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图11是图示示例性流体模具的一些部件的框图。
图12是图示示例过程的示例操作序列的流程图。
图13是图示示例过程的示例操作序列的流程图。
图14A-C是图示示例过程的框图。
在所有附图中,相同的附图标记表示相似但不一定相同的元件。附图不一定按比例绘制,并且一些部分的尺寸可能被放大以更清楚地说明所示的示例。此外,附图提供了与描述一致的示例和/或实施方式;然而,描述不限于附图中提供的示例和/或实施方式。
具体实施方式
流体模具的示例可以包括流体致动器。流体致动器可包括基于压电膜的致动器、基于热敏电阻器的致动器、静电膜致动器、机械/冲击驱动的膜致动器、磁致伸缩驱动致动器或可响应于电致动而引起流体位移的其他这种元件。为了控制这种流体致动器的致动,示例可以进一步包可以连接到流体致动器的场效应晶体管(FET)。因此,连接的FET的电气控制可以实现流体模具的流体致动器的选择性控制。
流体致动器可以布置在相应的流体致动器组中,其中每个这样的流体致动器组可以被称为“基元(primitive)”或“点火基元(firing primitive)”。基元通常包括流体致动器的集合,每个致动器具有唯一的致动地址。在一些示例中,流体模具的电气和流体约束可以限制对于给定的致动事件,每个基元的哪些流体致动器可以被同时致动。因此,基元有助于寻址和随后致动流体喷射器子集,这些子集可以针对给定的致动事件被同时致动。为了在基元内寻址流体致动器,场效应晶体管可以类似地布置。因此,通过使能场效应晶体管的栅极来寻址场效应晶体管,可以引起连接到场效应晶体管的流体致动器的电致动。 因此,对于流体致动器的每个基元,流体模具可以包括场效应晶体管的基元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普发展公司,有限责任合伙企业,未经惠普发展公司,有限责任合伙企业许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880097969.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的