[发明专利]波束控制天线结构和包括所述结构的电子设备有效

专利信息
申请号: 201880098876.0 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN112889183B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 亚力山大·克瑞普科夫;珍妮·伊尔沃宁;贾里·克里斯蒂安·范温特格姆;田瑞源 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01Q1/00 分类号: H01Q1/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 波束 控制 天线 结构 包括 电子设备
【权利要求书】:

1.一种波束控制天线结构(1),其特征在于,所述波束控制天线结构(1)包括印刷电路板(2)和导电组件(3),其中

所述印刷电路板(2)的第一壁(4)和第二壁(5)与所述导电组件(3)的第一表面(3a)并列;

所述印刷电路板(2)的所述第二壁(5)与所述导电组件(3)的所述第一表面(3a)紧靠并电连接;

所述导电组件(3)的第二表面(3b)从所述导电组件(3)的第一表面(3a)沿着远离所述第一壁(4)的方向以角度(α)延伸;

连接表面(6)在所述第一壁(4)和所述第二壁(5)之间延伸,使得在所述第一壁(4)和所述第二壁(5)之间形成凹槽(7),所述凹槽(7)至少部分地与所述第一表面(3a)并列;

所述凹槽(7)包括第一天线阵列(8)和第二天线阵列(9);

所述第一天线阵列(8)沿着朝向所述第二表面(3b)的方向发射具有第一极化(P1)的第一辐射波束(B1),或者沿着远离所述第二表面(3b)的方向接收所述第一辐射波束(B1);

所述第二天线阵列(9)沿着所述朝向所述第二表面(3b)的方向发射具有第二极化(P2)的第二辐射波束(B2),所述第二极化(P2)与所述第一极化(P1)正交,或者沿着所述远离所述第二表面(3b)的方向接收所述第二辐射波束(B2);以及

所述第二表面(3b)在远离或朝向所述连接表面(6)的方向上控制所述第一辐射波束(B1)和所述第二辐射波束(B2)中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的波束控制天线结构(1),其特征在于,所述导电组件(3)的所述第二表面(3b)从所述导电组件(3)的所述第一表面(3a)以角度(α)延伸,使得在所述印刷电路板(2)的所述第一壁(4)与所述导电组件(3)之间形成渐增间隙(10)。

3.根据权利要求1或2所述的波束控制天线结构(1),其特征在于,所述第一壁(4)包括至少一个第一凹部(11),所述第二壁(5)包括至少一个第二凹部(12),所述第二凹部(12)与所述第一凹部(11)至少部分对齐,所述第一凹部(11)和所述第二凹部(12)沿垂直于所述凹槽(7)的纵向延伸方向(L)延伸。

4.根据权利要求1或2所述的波束控制天线结构(1),其特征在于,所述第一天线阵列(8)包括至少一个第一天线振子(8a),所述第一天线振子(8a)包括波导(13)和第一信号馈电连接(14a),所述波导(13)由所述第一壁(4)、所述第二壁(5)、所述连接表面(6)、所述导电组件(3)的所述第一表面(3a)和所述导电组件(3)的所述第二表面(3b)组成,所述第一信号馈电连接(14a)与所述第一壁(4)耦合。

5.根据权利要求4所述的波束控制天线结构(1),其特征在于,所述波导(13)的尺寸在与所述连接表面(6)平行的方向上从第一尺寸(D1)增大到第二尺寸(D2),所述第一尺寸(D1)在邻近所述连接表面(6)的所述第一壁(4)和所述第二壁(5)之间测量,所述第二尺寸(D2)在离所述连接表面(6)最远的所述第二表面(3b)的末端处,在所述第一壁(4)和所述导电组件(3)的所述第二表面(3b)之间测量。

6.根据权利要求3所述的波束控制天线结构(1),其特征在于,所述第一壁(4)形成至少一个导体元件(4a),所述导体元件(4a)邻近所述第一凹部(11)中的至少一个而延伸,所述导体元件(4a)在垂直于所述连接表面(6)的方向上呈锥形。

7.根据权利要求3所述的波束控制天线结构(1),其特征在于,所述第二天线阵列(9)包括至少一个第二天线振子(9a),所述第二天线振子(9a)包括第二信号馈电连接(14b)、至少一个导体(15)和反射器(16),所述第二信号馈电连接(14b)与所述导体(15)连接,所述反射器(16)由所述第一凹部(11)的底边缘组成,所述底边缘与所述连接表面(6)平行地延伸。

8.根据权利要求7所述的波束控制天线结构(1),其特征在于,所述第二天线振子(9a)为偶极子天线,所述偶极子天线包括与所述反射器(16)平行地延伸的两个导体(15)。

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