[发明专利]质量分析装置

权利要求书

1.一种质量分析装置，具有输送作为分析对象的离子的离子输送光学系统，其特征在于，

所述离子输送光学系统包含：

N根杆电极，具有作为整体被配置为在离子的输送方向上延伸的6以上的偶数根；

电压生成部，对所述N根杆电极分别施加规定的电压，

将该4根杆电极中的至少2根杆电极以随着在离子的输送方向上行进而靠近所述N极的配置或所述四极的配置的中心轴的方式相对于该中心轴倾斜配设，从而使所述N根杆电极在离子的入射侧为N极的配置、且在离子的射出侧该N根杆电极中的4根杆电极成为四极的配置，

所述电压生成部相对于所述N根杆电极，能够对在离子光轴的周围相邻的杆电极彼此施加相位相互反转的高频电压，并对在离子的射出侧成为四极配置的所述4根杆电极施加第1直流电压，对所述N根杆电极中的所述4根杆电极以外的(N-4)根杆电极施加与所述第1直流电压不同的第2直流电压。

2.一种质量分析装置，具有输送作为分析对象的离子的离子输送光学系统，其特征在于，

所述离子输送光学系统包含：

N根杆电极，具有作为整体被配置为在离子的输送方向上延伸的6以上的偶数根；

电压生成部，对所述N根杆电极分别施加规定的电压，

将该4根杆电极中的至少2根杆电极的形状设为，在离子的输送方向上延伸的中途的至少一部分以靠近所述N极的配置或所述四极的配置的中心轴的方式弯曲，从而使所述N根杆电极在离子的入射侧为N极的配置、且在离子的射出侧该N根杆电极中的4根杆电极成为四极的配置，

所述电压生成部相对于所述N根杆电极，能够对在离子光轴的周围相邻的杆电极彼此施加相位相互反转的高频电压，并对在离子的射出侧成为四极配置的所述4根杆电极施加第1直流电压，对所述N根杆电极中的该4根杆电极以外的(N-4)根杆电极施加与所述第1直流电压不同的第2直流电压。

3.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，

所述电压生成部将比所述第1直流电压大的电压值即所述第2直流电压施加至所述(N-4)根杆电极。

4.如权利要求3所述的质量分析装置，其特征在于，

所述N极的配置的中心轴与所述四极的配置的中心轴平行且不位于一条直线上，

所述离子输送光学系统根据所述第1直流电压与所述第2直流电压的差，使离子在其中途向与所述两个中心轴正交的方向偏转。

5.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，

所述N极的配置的中心轴与所述四极的配置的中心轴位于一条直线上。

6.如权利要求1所述的质量分析装置，其特征在于，

所述N为6～12的范围的偶数。

7.如权利要求7所述的质量分析装置，其特征在于，

在将试样成分于大气压气氛中离子化的离子化室与配设有质量分离部并被保持为高真空气氛的高真空室之间，具有1个以上的中间真空室，

在所述离子化室的下一级的中间真空室内配设有所述N根杆电极。

8.如权利要求7所述的质量分析装置，其特征在于，

在将试样成分于大气压气氛中离子化的离子化室与配设有质量分离部并被保持为高真空气氛的高真空室之间，具有2个以上的中间真空室，

在所述离子化室的下两级的中间真空室内配设有所述N根杆电极。

9.如权利要求7所述的质量分析装置，其特征在于，

具有使离子与规定的气体接触而解离的碰撞池，

在所述碰撞池内配设有所述N根杆电极。

10.如权利要求7所述的质量分析装置，其特征在于，

具有使离子与规定的气体反应的反应池，

在所述反应池内配设有所述N根杆电极。