[发明专利]发光元件、发光元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880099103.4 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN112970130A 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 榊原裕介;两轮达也 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/14;H05B33/26
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光元件,其包括:

阴极;

阳极;

发光层,形成于所述阴极与阳极之间,且包含发出各自不同的波长的光的多个发光区域;以及

电子输送层,形成于所述阴极与所述发光层之间,且包含与所述各发光区域各自对应的区域,

所述电子输送层包含Zn1-xMgxO膜,但是X为0≤X1,从对应的所述各发光区域发出的光的波长越短的区域,Mg的组成比X越大,且膜厚越薄。

2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,

所述发光层包含发出红色的光的红色发光区域、发出绿色的光的绿色发光区域以及发出蓝色的光的蓝色发光区域。

3.根据权利要求2所述的发光元件,其特征在于,

所述电子输送层的所述各区域中的Mg的组成比X在与所述红色发光区域对应的区域是0以上且小于0.05,所述电子输送层的所述各区域中的Mg的组成比X在与所述绿色发光区域对应的区域是0.05以上且小于0.15,所述电子输送层的所述各区域中的Mg的组成比X在与所述蓝色发光区域对应的区域是0.15以上且小于0.25。

4.根据权利要求3所述的发光元件,其特征在于,

在所述电子输送层中,所述各区域中的所述Zn1-xMgxO膜的膜厚在与所述红色发光区域对应的区域是45nm以上且小于55nm,所述各区域中的所述Zn1-xMgxO膜的膜厚在与所述绿色发光区域对应的区域是35nm以上且小于45nm,所述各区域中的所述Zn1-xMgxO膜的膜厚在与所述蓝色发光区域对应的区域是25nm以上且小于35nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其特征在于,

所述发光层包含量子点。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其特征在于,

所述发光元件还具备空穴输送层,形成于所述阳极与所述发光层之间,

所述空穴输送层包含所述各发光区域中与两个以上的发光区域对应的一个区域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件,其特征在于,

所述阴极与所述阳极的至少一方在对应于所述各发光区域的所有的一个区域形成,所述阴极或阳极配置于基板上。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光元件,其特征在于,

所述阴极与所述阳极的两者在对应于所述各发光区域的所有的一个区域形成。

9.一种发光元件的制造方法,其特征在于,

在基板上形成阳极,

在所述阳极的上方形成发光层,所述发光层包含发出各自不同的波长的光的多个发光区域,

在所述发光层的上方形成电子输送层,所述电子输送层包含与所述各发光区域各自对应的区域,

电子输送层包含Zn1-xMgxO膜,但是X为0≤X1,

从对应的所述各发光区域发出的光的波长越短的区域,Mg的组成比X越大,且其膜厚形成为越薄,

在所述电子输送层的上方形成阴极。

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