[发明专利]双重比较三态内容可寻址存储器

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一数据存储部分；

第二数据存储部分；

所述第一数据存储部分和所述第二数据存储部分各自被连接到位线；

所述第一数据存储部分被连接到第一字线；

所述第二数据存储部分被连接到第二字线；

第一组串联晶体管，被连接到第一匹配线；

第二组串联晶体管，被连接到所述第一匹配线；

所述第一组串联晶体管被连接到第一搜索线条；并且

所述第二组串联晶体管被连接到第一搜索线；

第三组串联晶体管，被连接到第二匹配线；

第四组串联晶体管，被连接到所述第二匹配线；

所述第三组串联晶体管被连接到第二搜索线；

所述第四组串联晶体管被连接到第二搜索线条；

所述第一数据存储部分被连接到所述第一组串联晶体管和所述第三组串联晶体管；并且

所述第二数据存储部分被连接到所述第二组串联晶体管和所述第四组串联晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一数据存储部分和所述第二数据存储部分中的每个数据存储部分包括电子电路，所述电子电路包括第一交叉耦合反相器和第二交叉耦合反相器以及第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一交叉耦合反相器的输出被连接到所述第一晶体管并且被连接到所述第二交叉耦合反相器的输入，并且所述第二交叉耦合反相器的输出被连接到所述第二晶体管并且被连接到所述第一交叉耦合反相器的输入。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一数据存储部分和所述第二数据存储部分各自被连接到位线条。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述一组串联晶体管中的每个晶体管被接地。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一组串联晶体管被连接到所述第二组串联晶体管；并且

所述第三组串联晶体管被连接到所述第四组串联晶体管。

6.一种操作三态内容可寻址存储器设备(TCAM)的方法，所述方法包括：

由所述TCAM接收第一搜索标准，所述TCAM包括第一存储部分和第二存储部分、第一比较端口和第二比较端口、第一搜索线和第二搜索线、第一搜索线条和第二搜索线条、第一匹配线和第二匹配线、以及第一字线和第二字线；

由所述TCAM接收第二搜索标准；

由所述TCAM利用所述第一搜索标准、使用所述第一比较端口执行对所述第一存储部分和所述第二存储部分的第一搜索；

由所述TCAM利用所述第二搜索标准、使用所述第二比较端口执行对所述第一存储部分和所述第二存储部分的第二搜索；

由所述TCAM确定针对所述第一搜索标准的第一搜索输出；以及

由所述TCAM确定针对所述第二搜索标准的第二搜索输出。

7.根据权利要求6所述的方法，包括：

在由所述TCAM执行所述第一搜索和所述第二搜索之前，将所述第一匹配线和所述第二匹配线充电到高电压。

8.根据权利要求6所述的方法，包括：

在由所述TCAM执行所述第一搜索和所述第二搜索之前，将所述第一搜索线和所述第二搜索线充电到地。

9.根据权利要求7所述的方法，包括：

由所述TCAM确定所述第一匹配线是否已经被拉低到低于充电后的所述高电压的电压；以及

由所述TCAM确定所述第二匹配线是否已经被拉低到低于充电后的所述高电压的电压。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一搜索和所述第二搜索在单个计算机处理单元(CPU)时钟周期内被同时执行。