[发明专利]光吸收层、光电转换元件和太阳能电池

权利要求书

1.一种光吸收层，其特征在于，

含有钙钛矿化合物和量子点，所述量子点的圆形度为0.50～0.92。

2.如权利要求1所述的光吸收层，其特征在于，

所述量子点具有核壳结构。

3.如权利要求2所述的光吸收层，其特征在于，

所述量子点的壳含有在比所述钙钛矿化合物的导带底部更靠负能级处具有导带底部和/或在比所述钙钛矿化合物的价带顶部更靠正能级处具有价带顶部的化合物。

4.如权利要求2或3所述的光吸收层，其特征在于，

所述量子点的核含有在比所述钙钛矿化合物的导带底部更靠正能级处具有导带底部和/或在比所述钙钛矿化合物的价带顶部更靠负能级处具有价带顶部的化合物。

5.如权利要求2～4中任一项所述的光吸收层，其特征在于，

所述量子点的壳含有包含与构成所述钙钛矿化合物的金属元素不同的金属元素的化合物。

6.如权利要求2～5中任一项所述的光吸收层，其特征在于，

所述量子点的核含有包含与构成所述钙钛矿化合物的金属元素相同的金属元素的化合物。

7.如权利要求1～6中任一项的光吸收层，其特征在于，

所述钙钛矿化合物为选自下述通式(1)所示的化合物和下述通式(2)所示的化合物中的1种以上，

RMX₃ (1)

式(1)中，R为一价阳离子，M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子，

R¹R²R³_n-1M_nX_3n+1 (2)

式(2)中，R¹、R²和R³分别独立地为一价阳离子，M为二价金属阳离子，X为卤素阴离子，n为1以上10以下的整数。

8.如权利要求7所述的光吸收层，其特征在于，

所述X为氟阴离子、氯阴离子或溴阴离子。

9.如权利要求7或8所述的光吸收层，其特征在于，

所述R、R¹、R²和R³分别独立地为烷基铵离子或甲脒鎓离子。

10.如权利要求7～9中任一项所述的光吸收层，其特征在于，

所述M为Pb²⁺、Sn²⁺或Ge²⁺。

11.一种光吸收层，其特征在于，

含有钙钛矿化合物和量子点，该量子点包含在比所述钙钛矿化合物的导带底部更靠负能级处具有导带底部和/或在比所述钙钛矿化合物的价带顶部更靠正能级处具有价带顶部的化合物。

12.如权利要求11所述的光吸收层，其特征在于，

所述量子点具有核壳结构。

13.一种光电转换元件，其特征在于，

具有权利要求1～12中任一项所述的光吸收层。

14.一种太阳能电池，其特征在于，

具有权利要求13所述的光电转换元件。