[发明专利]激光加工装置及其控制方法有效
申请号: | 201880099624.X | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN113169057B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 岛贯隆;古谷田昌信;押田修平 | 申请(专利权)人: | 株式会社东京精密 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 佟胜男 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 及其 控制 方法 | ||
1.一种激光加工装置,其使激光聚光到晶片的内部而在所述晶片的内部形成多层的改性区域,其中,
所述激光加工装置具备与所述晶片的一面对置的红外线拍摄光学系统,
在所述多层的改性区域中,将位于所述晶片的与所述一面相反侧的另一面的一侧的改性区域作为第一改性区域,将其他改性区域作为第二改性区域的情况下,
所述红外线拍摄光学系统具有包括所述第一改性区域和所述另一面在内的对焦范围,对所述第一改性区域和所述另一面同时进行拍摄,
所述第二改性区域位于所述对焦范围外。
2.根据权利要求1所述的激光加工装置,其中,
所述红外线拍摄光学系统对在所述第一改性区域中在所述晶片的厚度方向上不与所述第二改性区域重叠的非重叠区域和所述另一面同时进行拍摄。
3.根据权利要求1或2所述的激光加工装置,其中,
所述红外线拍摄光学系统以使所述另一面中形成有金属图案的区域成为背景的方式对所述第一改性区域和所述另一面中形成有金属图案的区域同时进行拍摄,以提高与所述第一改性区域的对比度。
4.根据权利要求1或2所述的激光加工装置,其中,
所述激光加工装置具备运算部,该运算部基于由所述红外线拍摄光学系统进行同时拍摄而得到的拍摄图像,来运算所述第一改性区域的理论值与实测值的位置偏差。
5.根据权利要求1或2所述的激光加工装置,其中,
所述红外线拍摄光学系统在所述另一面具有焦点。
6.一种激光加工装置,其使激光聚光到晶片的内部而在所述晶片的内部形成多层的改性区域,其中,
所述激光加工装置具备与所述晶片的一面对置的红外线拍摄光学系统,
在所述多层的改性区域中,将位于所述晶片的与所述一面相反侧的另一面的一侧的改性区域作为第一改性区域,将其他改性区域作为第二改性区域的情况下,
所述红外线拍摄光学系统具有包括所述第一改性区域和所述另一面在内的对焦范围,对所述第一改性区域和所述另一面同时进行拍摄,
所述红外线拍摄光学系统对在所述第一改性区域中在所述晶片的厚度方向上不与所述第二改性区域重叠的非重叠区域和所述另一面同时进行拍摄。
7.根据权利要求6所述的激光加工装置,其中,
所述红外线拍摄光学系统以使所述另一面中形成有金属图案的区域成为背景的方式对所述第一改性区域和所述另一面中形成有金属图案的区域同时进行拍摄,以提高与所述第一改性区域的对比度。
8.根据权利要求6或7所述的激光加工装置,其中,
所述激光加工装置具备运算部,该运算部基于由所述红外线拍摄光学系统进行同时拍摄而得到的拍摄图像,来运算所述第一改性区域的理论值与实测值的位置偏差。
9.根据权利要求6或7所述的激光加工装置,其中,
所述红外线拍摄光学系统在所述另一面具有焦点。
10.一种拍摄装置,其用于检测在晶片的内部形成的多层的改性区域,其中,
所述拍摄装置具备与所述晶片的一面对置的红外线拍摄光学系统,
在所述多层的改性区域中,将位于所述晶片的与所述一面相反侧的另一面的一侧的改性区域作为第一改性区域,将其他改性区域作为第二改性区域的情况下,
所述红外线拍摄光学系统具有包括所述第一改性区域和所述另一面在内的对焦范围,对所述第一改性区域和所述另一面同时进行拍摄,
所述第二改性区域位于所述对焦范围外。
11.根据权利要求10所述的拍摄装置,其中,
所述红外线拍摄光学系统对在所述第一改性区域中在所述晶片的厚度方向上不与所述第二改性区域重叠的非重叠区域和所述另一面同时进行拍摄。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造