[发明专利]半导体封装件、其制造方法及半导体装置在审
申请号: | 201880099699.8 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN113169161A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 中田洋辅;藤田淳 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 制造 方法 装置 | ||
目的在于提供能够实现半导体封装件的成本降低或小型化的技术。配线用元件包含:第2基板;多个第1中继焊盘,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,通过导线与多个半导体元件的控制焊盘连接;多个第2中继焊盘,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,个数小于或等于多个第1中继焊盘的个数;以及多个配线,它们配设于第2基板的与导体基板相反侧的面,选择性地将多个第1中继焊盘和多个第2中继焊盘连接。
技术领域
本发明涉及半导体封装件、其制造方法及半导体装置。
背景技术
针对电力用半导体装置提出了各种技术。例如,在专利文献1中提出了如下半导体装置,即,通过用树脂对半导体元件、与该半导体元件连接的柱电极进行封装,从而从柱电极获取由半导体元件控制的电力。
另一方面,在使用了碳化硅(SiC)的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)模块等电力用半导体装置中,难以实现该MOSFET的大面积化、乃至电流容量的增大,无法直接使用专利文献1的技术。因此,提出了为了能够应对电流容量的增大而将多个半导体芯片并联连接的结构。例如,在专利文献2中提出了从多个半导体芯片经由导线将信号输入至绝缘基板之上的信号配线图案的结构。
专利文献1:日本特开2014-1999555号公报
专利文献2:国际公开第2014/046058号
发明内容
但是,在专利文献2的技术中,与栅极电极对应的信号配线图案和与源极电极对应的主电流电路图案配设于同一部件之上。因此,当在主电流电路图案流动比较大的电流的情况下,例如,为了确保信号配线图案和主电流电路图案之间的绝缘,需要使这些图案充分远离。其结果,存在半导体装置的尺寸变大、由于组装方法繁杂而使成本变大这样的问题。
因此,本发明就是鉴于上述那样的问题而提出的,其目的在于提供能够实现半导体封装件的成本降低或小型化的技术。
本发明涉及的半导体封装件具有:导体基板;多个半导体元件,它们与所述导体基板的第1主面接合,具有开关功能;以及配线用元件,其与所述导体基板的所述第1主面接合,所述多个半导体元件各自包含:第1基板;第1主电极部,其配设于所述第1基板的与所述导体基板相反侧的面;第2主电极部,其配设于所述第1基板的所述导体基板侧的面,与所述导体基板接合;以及控制焊盘,其用于对在所述第1主电极部和所述第2主电极部之间流动的电流进行控制,所述配线用元件包含:第2基板;多个第1中继焊盘,它们配设于所述第2基板的与所述导体基板相反侧的面,通过导线与所述多个半导体元件的所述控制焊盘连接;多个第2中继焊盘,它们配设于所述第2基板的与所述导体基板相反侧的所述面,个数小于或等于所述多个第1中继焊盘的个数;以及多个配线,它们配设于所述第2基板的与所述导体基板相反侧的所述面,选择性地将所述多个第1中继焊盘和所述多个第2中继焊盘连接,该半导体封装件还具有:多个第1导体部件,它们与所述多个半导体元件的所述第1主电极部接合;多个第2导体部件,它们与所述配线用元件的所述多个第2中继焊盘接合;以及封装材料,其以使所述多个第1导体部件的与所述导体基板相反侧的面即露出面、所述多个第2导体部件的与所述导体基板相反侧的面即露出面、及所述导体基板的与所述第1主面相反侧的第2主面露出的状态,覆盖所述多个半导体元件、所述配线用元件、所述多个第1导体部件的至少一部分、所述多个第2导体部件的至少一部分、及所述导体基板的所述第1主面。
发明的效果
根据本发明,配线用元件包含:第2基板;多个第1中继焊盘,它们通过导线与多个半导体元件的控制焊盘连接;多个第2中继焊盘,它们的个数小于或等于多个第1中继焊盘的个数;以及多个配线,它们选择性地将多个第1中继焊盘和多个第2中继焊盘连接。由此,能够实现半导体封装件的成本降低或小型化。
通过下面的详细的说明和附图,本发明的目的、特征、方式及优点会变得更加清楚。
附图说明
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