[发明专利]封装结构及通信设备

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括基板、晶片及用于将所述晶片粘接至所述基板上的粘接层，所述粘接层内设有带电粒子，所述晶片之背离所述粘接层的表面设有电极，所述电极与所述带电粒子的电位相反，所述封装结构还包括第一屏蔽结构，所述基板为零电位，所述第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述电极，所述晶片之背离所述粘接层的表面设有晶片接地元件，所述第一屏蔽结构包括与所述晶片接地元件电连接的引线，所述引线与所述晶片接地元件共同形成所述粘接层和所述电极之间的阻隔带。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述带电粒子为正离子，所述电极的电势为负，所述第一屏蔽结构与所述封装结构中的零电位连接。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电极的数量为两个或两个以上，所述晶片接地元件的数量为多个，各所述电极间隔设置在相邻的所述晶片接地元件之间，所述引线电连接在相邻的两个所述晶片接地元件之间。

4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述电极的数量为多个，所述晶片接地元件的数量为至少两个，所述电极和所述晶片接地元件排列在同一排中，所述晶片接地元件包括分别分布在排头及排尾的第一元件和第二元件，所述引线电连接所述第一元件和所述第二元件之间，所述第一元件、所述引线和所述第二元件共同围设在所有的所述电极的外围。

5.如权利要求3或4所述的封装结构，其特征在于，所述晶片之背离所述粘接层的表面包括栅极区、漏极区及有源区，所述有源区设于所述栅极区和所述漏极区之间，所述电极和所述晶片接地元件分布在所述栅极区，所述电极为所述栅极区内的用于输入射频信号栅极电极，所述漏极区设有漏极电极，所述漏极电极用于输出经过所述有源区放大后的射频信号。

6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述带电粒子为负离子，所述电极的电势为正，所述第一屏蔽结构与所述封装结构中的零电位连接。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述基板包括上表面和下表面，所述晶片通过所述粘接层粘接至所述上表面，所述基板上还设有引脚，所述引脚从所述上表面延伸至所述下表面，所述引脚与所述电极电性连接，所述封装结构还包括第二屏蔽结构，所述第二屏蔽结构设于所述上表面且位于所述粘接层和所述引脚之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述引脚。

8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述带电粒子为正离子，所述引脚的电势为负，所述第二屏蔽结构与所述封装结构中的零电位连接。

9.如权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述上表面设有基板接地元件，所述第二屏蔽结构包括与所述基板接地元件电连接的连接线，所述连接线与所述基板接地元件共同形成所述粘接层和所述引脚之间的阻隔带。

10.如权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述引脚的数量为多个，所述基板接地元件的数量为至少两个，所述引脚和所述基板接地元件排列在同一排中，所述基板接地元件包括分别分布在排头及排尾的首元件和尾元件，所述连接线电连接在所述首元件和所述尾元件之间，所述首元件、所述连接线和所述尾元件共同围设在所有的所述引脚的外围。

11.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述带电粒子为负离子，所述引脚的电势为正，所述第二屏蔽结构与所述封装结构中的零电位连接。

12.如权利要求1-4任一项或6-11任一项所述的封装结构，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述第一屏蔽结构。

13.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述第一屏蔽结构。

14.一种通信设备，其特征在于，包括射频无源器件、射频小信号器件和如权利要求1-13任意一项所述的封装结构，所述封装结构连接在所述射频小信号器件和所述射频无源器件之间。