[发明专利]电力用半导体元件的驱动电路以及使用其的电力用半导体模块有效

专利信息
申请号: 201880100001.X 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN113169659B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 堀口刚司 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 李今子
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电力 半导体 元件 驱动 电路 以及 使用 模块
【权利要求书】:

1.一种电力用半导体元件的驱动电路,驱动包括控制端子、第1主电极以及第2主电极的电力用半导体元件,其中,

所述电力用半导体元件的驱动电路具备用于使所述电力用半导体元件截止的第1开关截止电路以及第2开关截止电路,

所述第2开关截止电路的阻抗低于所述第1开关截止电路的阻抗,

在所述电力用半导体元件断开时,在所述电力用半导体元件是异常状态时,仅所述第1开关截止电路动作,在所述电力用半导体元件是正常状态时,所述第1开关截止电路和所述第2开关截止电路互补地按照所述第1开关截止电路、所述第2开关截止电路、所述第1开关截止电路的顺序动作。

2.根据权利要求1所述的电力用半导体元件的驱动电路,其中,

所述第1开关截止电路在所述电力用半导体元件的所述控制端子与基准电位之间包括第1断开用栅极电阻和第1断开用开关,

所述第2开关截止电路在所述电力用半导体元件的所述控制端子与基准电位之间包括第2断开用栅极电阻、第2断开用开关以及电压源,

所述电压源的高电位侧的端子与所述基准电位连接,

所述第1断开用栅极电阻的电阻值大于所述第2断开用栅极电阻的电阻值。

3.根据权利要求1所述的电力用半导体元件的驱动电路,其中,

所述第1开关截止电路在所述电力用半导体元件的所述控制端子与基准电位之间包括第1断开用栅极电阻、第1断开用开关以及第1电压源,

所述第1电压源的高电位侧的端子与所述基准电位连接,

所述第2开关截止电路在所述电力用半导体元件的所述控制端子与所述基准电位之间包括第2断开用栅极电阻、第2断开用开关以及第2电压源,

所述第2电压源的高电位侧的端子与所述基准电位连接,

所述第1断开用栅极电阻的电阻值大于所述第2断开用栅极电阻的电阻值、并且所述第1电压源的电压的大小小于所述第2电压源的电压的大小。

4.根据权利要求1所述的电力用半导体元件的驱动电路,其中,

所述第1开关截止电路在所述电力用半导体元件的所述控制端子与基准电位之间包括第1断开用栅极电阻、第1断开用开关以及第1电压源,

所述第1电压源的高电位侧的端子与所述基准电位连接,

所述第2开关截止电路在所述电力用半导体元件的所述控制端子与所述基准电位之间包括第2断开用栅极电阻、第2断开用开关以及第2电压源,

所述第2电压源的高电位侧的端子与所述第1电压源的低电位侧连接,

所述第1断开用栅极电阻的电阻值大于所述第2断开用栅极电阻的电阻值。

5.根据权利要求2~4中的任意一项所述的电力用半导体元件的驱动电路,其中,

所述第2开关截止电路包括:

动作期间设定部,设定所述第2开关截止电路动作的期间;

异常状态检测部,检测所述电力用半导体元件的异常状态;以及

逻辑运算电路,执行所述动作期间设定部的输出和所述异常状态检测部的输出的逻辑运算,

所述逻辑运算电路的输出与所述第2断开用开关的控制端子连接。

6.根据权利要求5所述的电力用半导体元件的驱动电路,其中,

所述电力用半导体元件的驱动电路具备主电极间电压检测器,该主电极间电压检测器检测所述电力用半导体元件的所述第1主电极与所述第2主电极之间的主电极间电压,输出具有表示所述主电极间电压的值的动作期间设定信号,

所述动作期间设定部包括:

第1比较器,比较所述动作期间设定信号和第1基准电压;以及

单触发脉冲电路,接受所述第1比较器的输出,

所述单触发脉冲电路的输出被送到所述逻辑运算电路,

所述第1基准电压大于预先决定的第1电压并且低于预先决定的第2电压,

所述第1电压是所述电力用半导体元件的导通状态下的所述电力用半导体元件的所述第1主电极与所述第2主电极之间的主电极间电压,

所述第2电压是所述电力用半导体元件处于切断状态时的所述电力用半导体元件的所述第1主电极与所述第2主电极之间的主电极间电压。

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