[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具有：

基板；

半导体芯片，其形成于所述基板上，在内部形成有pn结；

不透明的封装树脂，其将所述半导体芯片的表面覆盖；

功能区域，其在所述半导体芯片与所述封装树脂之间将所述半导体芯片的整体覆盖而配置，用于抑制因顺向电流在所述pn结中流动而产生且具有使所述封装树脂劣化的特定波长的光到达所述封装树脂；以及

接合材料，其由将配置于所述基板的上表面的配线图案、和在与所述基板的所述上表面相对的所述半导体芯片的主面形成的电极电连接的金属构成，

所述接合材料在所述半导体芯片的侧面延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述功能区域包含配置于所述半导体芯片与所述封装树脂之间的绝缘性的功能绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述功能绝缘膜含有将具有所述特定波长的光变换为长波长的光的荧光物质。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述功能绝缘膜含有如下荧光微粒，该荧光微粒构成为通过将具有所述特定波长的光变换为长波长的光的荧光物质将与所述功能绝缘膜相比折射率更高的粒状基体的表面覆盖。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述粒状基体的热膨胀系数小于所述功能绝缘膜的基体的热膨胀系数。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述功能绝缘膜含有与构成所述半导体芯片的半导体相比带隙相同或狭窄的半导体构成的微晶粒子。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述功能绝缘膜含有由至少表面对具有所述特定波长的光进行反射的物质构成的反射粒子。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述功能区域包含在所述半导体芯片的侧面处且在非活性区域的局部形成的多个晶体缺陷区域。