[发明专利]封装天线基板及其制造方法、封装天线及终端

说明书

本申请公开了一种封装天线基板及其制造方法、封装天线和终端，涉及封装天线技术领域，用于实现封装天线工艺的简化和天线性能的提升。该封装天线基板包括：衬底基板，设置于衬底基板一面上的第一天线辐射片，设置于第一天线辐射片背向衬底基板一侧的第二天线辐射片，及设置于第一天线辐射片与第二天线辐射片之间的介质叠层；介质叠层包括第一介质层，设置于第一介质层面向第一天线辐射片的一侧的粘接层，及设置于第一介质层面向第二天线辐射片一侧的第二介质层；其中，第一介质层的介电常数低于衬底基板的介电常数，第二介质层的膨胀系数低于第一介质层的膨胀系数。该封装天线基板应用于封装天线中。

技术领域

本申请涉及封装天线技术领域，尤其涉及一种封装天线基板、封装天线、终端及封装天线基板的制造方法。

背景技术

随着5G(the 5th Generation，第五代(通信技术))和VR(Virtual Reality，虚拟现实)等高速率通信时代的来临，毫米波通信逐步成为焦点，毫米波天线的设计和应用需求也越来越旺盛。由于毫米波频段传输路径长短对信号幅度损耗影响非常大，且毫米波天线的加工精度要求非常高，因此具有极短天线馈线路径和高加工精度的AiP(Antenna inPackage，封装天线集成)技术成为毫米波天线领域的主流技术之一。

AiP技术采用的架构为：将天线辐射片(Patch)集成在一个多层基板上，形成封装天线基板，并将射频芯片(RFIC，Radio Frequency Integrated Circuit)与该封装天线基板集成在一起，形成一个封装体，即封装天线。其中，封装天线基板一般包括两个天线辐射片，两个天线辐射片以堆叠的形式设置于多层基板上，并且在垂直于多层基板的方向上二者之间需要通过设置多层层间介质层来保持一定距离，以满足特定频段的性能需要。

在满足特定频段的性能需要的前提下，两个天线辐射片之间的距离较大，即二者之间的多层层间介质层的总厚度较厚，会导致封装天线基板的加工工艺难度升高，且引起层间介质层层数增多，进而造成加工工艺流程长，周期长，成本高。

发明内容

本申请提供一种封装天线基板、封装天线、终端及封装天线基板的制造方法，用于在满足特定频段的性能需要的前提下，降低封装天线基板中两层天线辐射片之间的距离，减少二者之间的层间介质层层数。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

本申请的第一方面提供一种封装天线基板，该封装天线基板包括衬底基板，设置于衬底基板一面上的第一天线辐射片，及设置于第一天线辐射片背向衬底基板一侧的第二天线辐射片，和设置于第一天线辐射片与第二天线辐射片之间的介质叠层。介质叠层包括第一介质层，设置于第一介质层面向第一天线辐射片的一侧的粘接层，及设置于第一介质层面向第二天线辐射片一侧的第二介质层。其中，第一介质层的介电常数低于衬底基板的介电常数，能够使第一天线辐射片与第二天线辐射片之间的介质叠层的等效介电常数降低，从而使第一天线辐射片与第二天线辐射片之间距离得以减小。第二介质层的膨胀系数低于第一介质层的膨胀系数，用于改善由于第一介质层的膨胀系数较高而引起的封装天线基板的板弯翘情况。

这样，封装天线基板通过采用包括第一介质层、第二介质层和粘接层的介质叠层，实现了将低介电常数的材料应用于封装天线基板中，降低了第一天线辐射片与第二天线辐射片之间的介质叠层的厚度，进而降低了整个封装天线基板的总厚度，从而降低了封装天线基板的加工工艺难度。并且介质叠层的所包括的介质层层数也得以减少，缩短了封装天线基板的加工工艺流程，缩短了其加工周期，降低了其成本。由于介质叠层中第一介质层采用较低介电常数的材料，因此降低了介质叠层的等效介电常数，有利于提高封装天线基板的增益和带宽。

结合第一方面，在一种可能的设计中，第一介质层的材料包括聚四氟乙烯材料，聚四氟乙烯材料的介电常数值为2.17左右，具有较低的介电常数，可以降低介质叠层整体的等效介电常数。

可选的，第一介质层的材料还包括添加在聚四氟乙烯材料中的填料，填料用于增强所述第一介质层的刚性，进一步改善板弯翘。