[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

绝缘基板，在正面和背面设置有金属层；

半导体元件，下表面接合于所述绝缘基板的所述正面侧的所述金属层上，在上表面具有电极；

基体板，被接合到所述绝缘基板的所述背面；

壳体部件，与所述基体板相接地包围所述绝缘基板；

端子部件，设置于所述壳体部件的内周侧；

布线部件，连接所述端子部件和所述半导体元件；

金属薄膜部件，连续地覆盖用所述布线部件连接的所述端子部件的表面及所述电极的表面和所述布线部件的表面；以及

填充部件，覆盖所述金属薄膜部件的表面和从所述金属薄膜部件露出的所述绝缘基板地填充到由所述基体板和所述壳体部件包围的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述金属薄膜部件还形成于用所述布线部件连接的所述绝缘基板的所述正面侧的所述金属层的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述金属薄膜部件还形成于未用所述布线部件连接的所述绝缘基板的所述正面侧的所述金属层的表面。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述金属薄膜部件是相比于所述布线部件杨氏模量更大且线膨胀系数更小的材料。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述金属薄膜部件的杨氏模量是70GPa以上且230GPa以下。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述金属薄膜部件是镀敷膜。

7.一种半导体装置的制造方法，具备：

半导体元件接合工序，在正面和背面设置有金属层的绝缘基板的所述正面侧的所述金属层上，接合在上表面具有电极的半导体元件的下表面；

基体板接合工序，对所述绝缘基板的所述背面接合基体板；

壳体部件形成工序，形成壳体部件，该壳体部件与所述基体板相接地包围所述绝缘基板，在内周侧设置有端子部件；

布线部件形成工序，将所述端子部件和所述半导体元件用布线部件连接；

金属薄膜部件包覆工序，用金属薄膜部件连续地覆盖用所述布线部件连接的所述端子部件的表面及所述电极的表面和所述布线部件的表面；以及

填充部件填充工序，覆盖所述金属薄膜部件的表面和从所述金属薄膜部件露出的所述绝缘基板地向由所述基体板和所述壳体部件包围的区域填充填充部件。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述金属薄膜部件包覆工序中，在未用所述布线部件连接的所述绝缘基板的所述正面侧的所述金属层的表面也形成所述金属薄膜部件。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述金属薄膜部件包覆工序中，在连接有所述布线部件的所述绝缘基板的所述正面侧的所述金属层的表面也形成所述金属薄膜部件。

10.根据权利要求7至9中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述金属薄膜部件包覆工序通过镀敷处理进行。

11.一种电力变换装置，具备：

主变换电路，具有权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置，该主变换电路将输入的电力进行变换而输出；以及

控制电路，将控制所述主变换电路的控制信号输出给所述主变换电路。