[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1半导体芯片；

第2半导体芯片；

第1金属板，其设置于所述第1半导体芯片的上表面；

第2金属板，其设置于所述第2半导体芯片的上表面；以及

封装树脂，其将所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片、所述第1金属板以及所述第2金属板覆盖，

在所述封装树脂处，在所述第1金属板与所述第2金属板之间形成从所述封装树脂的上表面朝向下方延伸的槽，

所述第1金属板在与所述第2金属板相对的端部具有从形成所述槽的所述封装树脂的侧面露出的第1露出部，

所述第2金属板在与所述第1金属板相对的端部具有从形成所述槽的所述封装树脂的侧面露出的第2露出部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有第1电极端子，该第1电极端子延伸至所述封装树脂的外侧，与所述第1金属板分离地设置，与所述第2半导体芯片的背面电连接，

所述第1金属板将所述第1半导体芯片的上表面与所述第2半导体芯片的背面电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有：

绝缘层；

第1导电层，其设置于所述绝缘层之上，在所述第1导电层的上表面设置有所述第1半导体芯片；

第2导电层，其设置于所述绝缘层之上，在所述第2导电层的上表面设置有所述第2半导体芯片；

第3导电层，其设置于所述绝缘层之上；

第1电极端子，其设置于所述第2导电层的上表面，延伸至所述封装树脂的外侧；

第2电极端子，其设置于所述第1导电层的上表面，延伸至所述封装树脂的外侧；以及

第3电极端子，其设置于所述第3导电层的上表面，延伸至所述封装树脂的外侧，

所述第1金属板将所述第1半导体芯片的上表面与所述第2导电层的上表面连接，

所述第2金属板将所述第2半导体芯片的上表面与所述第3导电层的上表面连接，

所述第1电极端子在所述第2导电层的上表面，与所述第1金属板以及所述第2半导体芯片分离地设置，

所述第2电极端子与所述第1半导体芯片分离地设置，

所述第3电极端子与所述第2金属板分离地设置。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，具有：

第4导电层以及第5导电层，它们设置于所述绝缘层之上；

第3半导体芯片以及第4半导体芯片，它们设置于所述第1导电层的上表面；

第5半导体芯片，其设置于所述第4导电层的上表面；

第6半导体芯片，其设置于所述第5导电层的上表面；

第3金属板，其将所述第3半导体芯片的上表面与所述第4导电层的上表面连接；以及

第4金属板，其将所述第4半导体芯片的上表面与所述第5导电层的上表面连接，

所述第2金属板将所述第5半导体芯片的上表面以及所述第6半导体芯片的上表面与所述第3导电层的上表面连接，

所述第3金属板具有从形成所述槽的所述封装树脂的侧面露出的第3露出部，

所述第4金属板具有从形成所述槽的所述封装树脂的侧面露出的第4露出部，

所述第3露出部以及所述第4露出部隔着所述槽与所述第2露出部相对。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1半导体芯片、所述第3半导体芯片和所述第4半导体芯片在所述第1导电层的上表面排列，

所述槽沿所述第1半导体芯片、所述第3半导体芯片和所述第4半导体芯片的排列方向延伸。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1露出部设置于所述第1金属板中的比在所述第2导电层的上表面设置的部分高的位置处。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

形成所述槽的所述封装树脂的侧面被绝缘带或者封装材料覆盖。