[发明专利]一体发光区大功率垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包含：

发射孔，所述发射孔内形成有隔离槽，所述隔离槽将所述发射孔部分隔离以形成狭长发射区，且所述狭长发射区相连通；

绝缘层，形成于所述隔离槽的底部及侧壁；以及

导电层，填充于所述隔离槽中，且所述导电层朝所述隔离槽的两侧延伸至所述狭长发射区并与所述狭长发射区形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述狭长发射区的宽度介于5微米~50微米之间。

3.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述隔离槽的宽度介于2微米~10微米之间。

4.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述狭长发射区呈鱼骨形排布，包括狭长发射连接区以及连接于所述狭长发射连接区两侧的多个狭长发射齿形区，且所述多个狭长发射齿形区由所述隔离槽间隔。

5.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述狭长发射区呈螺旋形排布，所述狭长发射区由螺旋形的隔离槽间隔。

6.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述狭长发射区包括垂直交叉的第一狭长发射连接区及第二狭长发射连接区，以将所述发射孔切割成四个象限区，各所述象限区内还包括多个分别连接于所述第一狭长发射连接区及所述第二狭长发射连接区上的多个狭长发射齿形区，任意相邻的两象限区内的所述狭长发射齿形区连接于不同的狭长发射连接区且相互垂直。

7.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述发射孔的径向宽度不小于50微米。

8.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述垂直腔面发射激光器还包括一上电极结构，所述上电极结构环绕于所述发射孔，且所述导电层连接于所述上电极结构。

9.根据权利要求1所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述垂直腔面发射激光器为正面发射结构，所述垂直腔面发射激光器包括：

衬底，所述衬底的背面具有下电极结构；

N型导电下反射镜，位于所述衬底之上；

有源层，位于所述N型导电下反射镜之上；

P型导电上反射镜，位于所述有源层之上，所述P型导电上反射镜中具有电流限制层，并由所述电流限制层定义所述发射孔；

介质层，位于所述P型导电上反射镜之上；

隔离槽，所述隔离槽自所述P型导电上反射镜延伸至所述N型导电下反射镜中，以将所述发射孔部分隔离形成狭长发射区，且所述狭长发射区的所述P型导电上反射镜、所述有源层及所述N型导电下反射镜相连通；

其中，所述导电层朝所述隔离槽的两侧延伸至所述狭长发射区并与所述狭长发射区内的所述P型导电上反射镜形成欧姆接触。

10.根据权利要求9所述的一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于：所述导电层包括依次层叠的Ti层、Pt层及Au层所组成的叠层结构。