[发明专利]垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器

权利要求书

1.一种垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器结构，其特征在于，包括n+欧姆接触电极（101）、p+欧姆接触电极（102）、n型掺杂插指区（103）、p型掺杂插指区（104）、本征吸收区（105）、衬底层（106），光栅区（107），所述n型掺杂插指区（103），p型掺杂插指区（104）是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域，之间的间隙是本征吸收区（105）；所述n+欧姆接触电极（101）和p+欧姆接触电极（102）分别是对应溅射在n型掺杂插指区（103）、p型掺杂插指区（104）的平行条区部分之外作为电极；所述光栅区（107），是在衬底p型和n型掺杂插指条区中间部分经过深紫外光刻后采用干法刻蚀技术，形成的与掺杂条区平行的周期性刻蚀浅槽，构成垂直耦合光栅结构；浅槽光栅的宽度小于入射波长，对垂直入射的光形成衍射效应，周期的光栅形成衍射叠加，将光能量的传播方向由垂直转化为水平方向，提高光吸收能量；离子注入浓度峰值的深度要求大于光栅刻蚀深度30到60nm。

2.根据权利要求1所述的一种垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器，其特征在于：探测器的材料为：Si、Ge/Si、InGaAs/InP或AlGaAs/GaAs、GaN/Ga2O3/AlN或SiC材料体系。

3.根据权利要求1所述的一种垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器，其特征在于：衬底采用单个块材料，或采用掩埋绝缘层的多层材料。

4.根据权利要求1所述的一种垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器，其特征在于：探测波长范围为紫外、可见光或红外光波段。

5.根据权利要求1所述的一种垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器，其特征在于：适用于垂直入射光接收设计。

6.根据权利要求1所述的一种垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器，其特征在于：能够使用CMOS工艺制作完成。