[发明专利]多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：

陶瓷主体，包括介电层，并且具有彼此相对的第一表面和第二表面、彼此相对且将所述第一表面和所述第二表面彼此连接的第三表面和第四表面以及彼此相对且连接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面；

多个内电极，设置在所述陶瓷主体中，均暴露到所述第一表面和所述第二表面，并且具有暴露到所述第三表面或所述第四表面的一端；以及

第一侧边缘部和第二侧边缘部，分别设置在所述陶瓷主体的所述第一表面和所述第二表面上，

其中，金属或金属氧化物设置在所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部中的每个中，所述金属或所述金属氧化物的直径与所述介电层中的每个的厚度的比为0.8或更小，并且

其中，所述介电层中的每个的厚度为0.4μm或更小。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述金属是镍，所述金属氧化物是包含镍和镁的氧化物。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述金属或所述金属氧化物设置在所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部的与所述介电层相邻的区域中。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述多个内电极中的最外层的内电极的末端接触的区域的厚度与所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述多个内电极中的中央层的内电极的末端接触的区域的厚度的比在0.9至1.0的范围。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述陶瓷主体的边缘接触的区域的厚度与所述第一侧边缘部或所述第二侧边缘部的与所述多个内电极中的中央层的内电极的末端接触的区域的厚度的比在0.9至1.0的范围。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，每个内电极的厚度为0.4μm或更小。

7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部中的每个的平均厚度在2μm至10μm的范围。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述陶瓷主体包括有效部和覆盖部，在所述有效部中，通过包括彼此面对设置的所述多个内电极且所述介电层介于所述多个内电极之间而形成电容，所述覆盖部分别设置在所述有效部的上表面和下表面上，并且

所述覆盖部中的每个的厚度是20μm或更小。

9.一种制造多层陶瓷电容器的方法，所述方法包括：

制备第一陶瓷生片和第二陶瓷生片，在所述第一陶瓷生片上以预定间隔设置有多个第一内电极图案，在所述第二陶瓷生片上以预定间隔设置有多个第二内电极图案；

通过堆叠所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片而形成陶瓷生片多层体，其中，所述第一内电极图案和所述第二内电极图案彼此交替；

切割所述陶瓷生片多层体，以具有使所述第一内电极图案和所述第二内电极图案的末端在宽度方向上暴露的侧表面；

在使所述第一内电极图案和所述第二内电极图案的所述末端暴露的所述侧表面上分别形成第一侧边缘部和第二侧边缘部；以及

通过烧结切割的所述陶瓷生片多层体来制备包括介电层和内电极的陶瓷主体，

其中，在所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部中的每个中设置金属或金属氧化物，所述金属或所述金属氧化物的直径与所述介电层中的每个的厚度的比为0.8或更小，并且

其中，所述介电层中的每个的厚度为0.4μm或更小。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属是镍，所述金属氧化物是包含镍和镁的氧化物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述金属或所述金属氧化物设置在所述第一侧边缘部和所述第二侧边缘部的与所述介电层相邻的区域中。