[发明专利]一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器

权利要求书

1.一种微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1：提供一第一外延片和一第一暂态基板，在所述第一外延片上涂覆第一释放胶并使所述第一外延片通过第一释放胶与第一暂态基板粘合；第一外延片上镀第一金属层，对第一金属层和第一外延片进行图案化处理形成第一种颜色Micro LED阵列；

S2：提供一第二外延片和一第二暂态基板，在所述第二外延片上涂覆第二释放胶并使所述第二外延片通过第二释放胶与第二暂态基板粘合；第二外延片上镀第二金属层，对第二金属层和第二外延片进行图案化处理形成第二种颜色Micro LED阵列；

S3：提供一第三外延片和一第三暂态基板，在所述第三外延片上涂覆第三释放胶并使所述第三外延片通过第三释放胶与第三暂态基板粘合；第三外延片上镀第三金属层，对第三金属层和第三外延片进行图案化处理形成第三种颜色Micro LED阵列；

S4：提供一阵列基板，在阵列基板表面镀一第一键合金属层，对第一键合金属层进行图案化处理形成第一金属阵列；

S5：带有第一种颜色Micro LED阵列的第一暂态基板放置在阵列基板上，给第一释放胶一定条件，使第一种颜色Micro LED阵列与第一暂存基板脱离；第一种颜色Micro LED阵列的第一金属层和阵列基板上的第一金属阵列进行金属键合并形成第一种颜色金属键合阵列留在阵列基板上；

S6：在步骤S5形成的阵列基板上涂第一光刻胶并在第一光刻胶上形成与第二种颜色Micro LED阵列位置对应的第一通孔；

S7：在S6步骤中的阵列基板上镀与第一键合金属层材料相同的第二键合金属层，对第二键合金属层进行图案化处理形成位于第一通孔上方的第二金属阵列；

S8：带有第二种颜色Micro LED阵列的第二暂态基板放置在S7步骤形成的阵列基板上，给第二释放胶一定条件，使第二种颜色Micro LED阵列与第二暂存基板脱离；第二种颜色Micro LED阵列的第二金属层和阵列基板上的第二金属阵列进行金属键合并形成第二种颜色金属键合阵列留在阵列基板上；

S9：在步骤S8形成的阵列基板上涂第二光刻胶并在第一光刻胶和第二光刻胶上形成第二通孔；

S10：在S9步骤中的阵列基板上镀第三键合金属，对第三键合金属进行图案化处理形成位于第二通孔上方的第三金属阵列；

S11：带有第三种颜色Micro LED阵列的第三暂态基板放置在S10步骤形成的阵列基板上，给第三释放胶一定条件，使第三种颜色Micro LED阵列与第三暂存基板脱离；第三种颜色Micro LED阵列的第三金属层和阵列基板上的第三金属阵列进行金属键合并形成第三种颜色金属键合阵列留在阵列基板上。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：所述第一释放胶或第二释放胶或第三释放胶为光敏胶、压敏胶和热敏胶，所述一定条件为光照、加压或者加热。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：所述金属键合可以是共晶合金键合、扩散键合或瞬态液相键合。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层、第一键合金属、第二键合金属、第三键合金属可为Sn/Au或Ag/In或In/Ni或Sn/Cu或Sn/Ag或Au/In。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：所述步骤S6中第一光刻胶具有透射率好，且最低耐温150℃。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：所述步骤S6中第一通孔内可以部分填充第二键合金属或者填满第二键合金属。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管巨量转移方法，其特征在于：第一种颜色Micro LED阵列、第二种颜色Micro LED阵列和第三种颜色Micro LED阵列为蓝色Micro LED阵列、绿色Micro LED阵列或红色Micro LED阵列中任意一种。

8.一种微型发光二极管显示器，其特征在于：包括权利要求1-7任意一项方法所制得的阵列基板，阵列基板上设有三个颜色金属键合阵列，分别为红色金属键合阵列、绿色金属键合阵列和蓝色金属键合阵列。