[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种制作阵列基板的方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板上限定有显示区，以及沿着所述显示区对称设置的第一周边电路区和第二周边电路区；以及

在所述基板的所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置薄膜晶体管，所述设置薄膜晶体管的步骤包括：

在所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置非晶硅层，对所述非晶硅层进行退火处理，以形成多晶硅层，所述退火处理为激光退火，

其中，应用于所述第一周边电路区的退火掩膜版，与应用于所述第二周边电路区的退火掩膜版相同，

所述退火掩膜版包括镂空区域，所述镂空区域与退火形成的多晶硅层具有相同的大小和形状；

或者，所述第一周边电路区中具有第一预定区域，所述第一预定区域用于形成薄膜晶体管，所述镂空区域的面积大于所述第一预定区域的面积，在所述第一周边电路区中进行退火处理包括：令退火掩膜版的镂空区域在基板上的正投影覆盖第一预定区域，以令所述第一预定区域中基于所述退火掩膜版形成的所述多晶硅层可被刻蚀形成多个有源层，所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区中的多个有源层的相对位置相同，或者所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区中的多个有源层对称设置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一周边电路区中的多晶硅层相对于所述第一周边电路区的位置，与所述第二周边电路区中的多晶硅层相对于所述第二周边电路区的位置相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

对所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区的多晶硅层进行刻蚀处理，其中，应用于所述第一周边电路区中的刻蚀掩膜版，与应用于所述第二周边电路区中的刻蚀掩膜版相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镂空区域的面积至少为所述第一预定区域面积的二倍，所述方法进一步包括：

对所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区的多晶硅层进行刻蚀处理，其中，应用于所述第一周边电路区中的刻蚀掩膜版，与应用于所述第二周边电路区中的刻蚀掩膜版互相对称。

5.一种阵列基板，其特征在于，是由权利要求1-4任一项所述的方法制作的。

6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求5所述的阵列基板。