[发明专利]镜像分栅快闪存储器及其形成方法

说明书

一种镜像分栅快闪存储器及其形成方法，镜像分栅快闪存储器包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的分立的浮栅极结构，所述浮栅极结构之间具有开口，所述开口底部暴露出半导体衬底；位于所述开口内的字线结构；位于浮栅极结构顶部表面的控制栅极结构；位于字线结构上的擦除栅极结构；位于字线结构和浮栅极结构两侧半导体衬底内的漏区。所述镜像分栅快闪存储器的性能得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种镜像分栅快闪存储器及其形成方法。

背景技术

快闪存储器是集成电路产品中一种重要的器件。快闪存储器的主要特点是在不加电压的情况下能长期保持存储的信息。快闪存储器具有集成度高、较快的存取速度和易于源线等优点，因而得到广泛的应用。

快闪存储器分为两种类型：叠栅(stack gate)快闪存储器和分栅(split gate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过源线的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为源线栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过源线效应。

然而，现有的分栅快闪存储器的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种镜像分栅快闪存储器及其形成方法，以提高镜像分栅快闪存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种镜像分栅快闪存储器，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的分立的浮栅极结构，所述浮栅极结构之间具有开口，所述开口底部暴露出半导体衬底；位于所述开口内的字线结构；位于浮栅极结构顶部表面的控制栅极结构；位于字线结构上的擦除栅极结构；位于字线结构和浮栅极结构两侧半导体衬底内的漏区。

可选的，所述浮栅极结构的高度大于字线结构的高度。

可选的，还包括：位于字线结构上的隔离层，所述隔离层顶部表面低于浮栅极结构顶部表面；所述擦除栅极结构位于所述隔离层表面。

可选的，所述隔离层的厚度为100埃～300埃。

可选的，擦除栅极结构包括：擦除栅极氧化层和位于擦除栅极氧化层表面的擦除栅极层；所述擦除栅极氧化层覆盖隔离层表面。

可选的，所述字线结构包括位于半导体衬底表面的字线氧化层和位于字线氧化层表面的字线层，所述字线氧化层包括位于半导体衬底表面的第一字线氧化层、以及位于字线层与浮栅极结构侧壁之间的第二字线氧化层。

可选的，所述第二字线氧化层的厚度为100埃～300埃。

可选的，浮栅极结构包括：浮栅极氧化层和位于浮栅极氧化层表面的浮栅极层；所述浮栅极氧化层位于半导体衬底表面。

可选的，控制栅极结构包括：控制栅极氧化层和位于控制栅极氧化层表面的控制栅极层；所述控制栅极氧化层位于浮栅极结构表面。

可选的，位于控制栅极结构顶部表面的第一侧墙。

可选的，还包括：位于控制栅极结构和擦除栅极结构之间的第二侧墙，所述第二侧墙覆盖控制栅极侧壁。

可选的，位于字线结构和浮栅极结构两侧半导体衬底上的第三侧墙，所述第三侧墙覆盖浮栅极结构和控制栅极结构侧壁。

相应的，本发明提供一种的镜像分栅快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底上的分立的浮栅极结构，所述浮栅极结构之间具有开口，所述开口底部暴露出半导体衬底；形成位于开口内的字线结构、分别位于浮栅极结构上的控制栅极结构和位于字线结构上的擦除栅极结构；形成位于字线结构和浮栅极结构两侧半导体衬底内的漏区。