[发明专利]阵列基板及制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括：

衬底；

栅极，形成在所述衬底上；

栅极绝缘层，形成在所述栅极和所述衬底上；

形成在所述栅极绝缘层上的同层设置的有源层以及像素电极层；所述有源层的沟道区通过金属氧化物导电层半导体化处理形成；所述像素电极层由金属氧化物导电层形成；

源/漏金属层，形成在所述有源层和所述像素电极层上，包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接，所述漏极与所述像素电极层电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述源/漏金属层上的钝化层。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：与所述像素电极相互绝缘的公共电极。

4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成栅极；

在所述衬底和所述栅极上形成栅极绝缘层，以覆盖所述栅极和所述衬底；

在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物导电层，通过曝光刻蚀所述金属氧化物导电层形成有源层和像素电极层；

在所述金属氧化物导电层上形成源/漏金属层，通过曝光刻蚀去除部分所述有源层上的源/漏金属层，对该部分进行半导体化处理，形成有源层的沟道区；

通过曝光刻蚀所述源/漏金属层得到TFT器件的源极和漏极，并暴露出所述像素电极层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接，所述漏极还与所述像素电极层电连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述源/漏金属层上形成钝化层。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述钝化层上形成与像素电极层绝缘的公共电极层。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成栅极；

在所述衬底和所述栅极上形成栅极绝缘层，以覆盖所述栅极和所述衬底；

在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物导电层，通过曝光刻蚀所述金属氧化物导电层形成有源层和像素电极层；

在所述金属氧化物导电层上形成源/漏金属层，通过不同透过率的光罩形成全透区、不透区和半透区；

曝光刻蚀全透区对应的所述有源层，去除部分所述有源层上的源/漏金属层，对该部分进行半导体化处理，形成有源层的沟道区；

灰化光阻，暴露出半透区对应的源/漏金属层；

刻蚀掉暴露出的半透区对应的源/漏金属层，得到TFT器件的源极和漏极，并暴露出所述像素电极层，所述源极和所述漏极分别与所述有源层电连接，所述漏极还与所述像素电极层电连接。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述源/漏金属层上形成钝化层。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述钝化层上形成与像素电极层绝缘的公共电极层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任意一项所述的阵列基板。