[发明专利]一种SiC单晶片磨抛方法

权利要求书

1.一种SiC单晶片磨抛方法，包括对SiC切割片依次进行研磨得到预抛光晶片和对预抛光晶片进行抛光得到SiC单晶片的过程，其特征在于：在研磨过程中，所述研磨用水基研磨液通过将初始研磨液对SiC切割片进行预研磨并满足第一条件得到；在抛光过程中，所述抛光用水基抛光液通过将初始抛光液对预抛光晶片进行预抛光并满足第二条件后处理得到；

所述初始研磨液包括如下重量份数的原料：阻聚剂0.5-1.2份；分散剂2-4份；粉末润滑剂0.5-1.5份；磨料15-25份；初始抛光液包括如下重量份数的原料：阻聚剂0.1-0.3份，分散剂0.2-0.5份，稳定剂20-40份，磨料10-20份；

所述第一条件为SiC切割片经研磨后去除的厚度为目标厚度的1/3-2/3；所述第二条件为初始抛光液使用时间不小于140h，并进行过滤处理。

2.根据权利要求1所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述阻聚剂包括苯醌、苯胺、苯二酚、羧甲基纤维素钠、聚马来酸、聚氨基酸、聚丙烯酸钠、膦酸基羧酸、丙三醇、丙二醇中的一种或两种以上的混合，两种以上混合时为任意配比。

3.根据权利要求1所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述分散剂包括水玻璃、三聚磷酸钠、六偏磷酸钠、焦磷酸钠、三乙基己基磷酸、十二烷基硫酸钠、甲基戊醇、聚丙烯酰胺、古尔胶、聚乙二醇脂肪酸酯中的一种或两种以上的混合，两种以上混合时为任意配比。

4.根据权利要求1所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述粉末润滑剂为石墨、六方氮化硼、二硒化铌、二硫化钼的一种或两种以上的混合，两种以上混合时为任意配比；所述粉末润滑剂的中位粒径为5-10μm；所述稳定剂包括乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、乙二醇、丙三醇、葡萄糖、葡萄糖酸、果糖、甘露糖、麦芽糖中的一种或两种以上的混合，两种以上混合时为任意配比。

5.根据权利要求1所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述预抛光晶片在进行预抛光之前放入到清洗液中进行超声波辅助清洗；所述预抛光得到的预抛光晶片在进行抛光之前放入到清洗液中进行超声波辅助清洗；所述清洗液为包含如下溶质的一种或多种：盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸，两种以上混合时为任意配比。

6.根据权利要求1所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述磨料为高硬度粉末材料，所述研磨液中的高硬度粉末材料的中位粒径为10-15μm，所述抛光液中的高硬度粉末材料的中位粒径为0.5-5μm。

7.根据权利要求6所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述高硬度粉末材料中至少含有金刚石。

8.根据权利要求7所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述高硬度粉末材料还包括立方氮化硼、碳化硼、氧化铝中的一种或两种以上的混合，两种以上混合时为任意配比。

9.根据权利要求1所述的一种SiC单晶片磨抛方法，其特征在于：所述过滤处理的条件是将抛光液一次或多次经过滤膜，过滤膜孔径范围在0.5-1μm。