[发明专利]一种采用声波谐振器和碳纳米管的探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种采用声波谐振器和碳纳米管的探测器，其特征在于，包括声波谐振器，所述的声波谐振器包括衬底(101)，在所述的声波谐振器远离衬底(101)的一侧设有碳纳米管(108)；

在所述的声波谐振器和碳纳米管(108)之间设有石墨烯互连层(107)；

所述的碳纳米管(108)垂直于声波谐振器的表面；

所述的声波谐振器还包括设置在衬底(101)上的谐振结构，所述的谐振结构包括依次层叠在衬底(101)上的二氧化硅层(103)、底电极(104)、压电薄膜(105)和顶电极(106)；所述的衬底(101)在设有谐振结构的位置设有空腔(102)；

所述的空腔(102)的截面呈弧形，空腔(102)的中部向底电极(104)的方向凸起。

2.一种根据权利要求1所述采用声波谐振器和碳纳米管的探测器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S0、在衬底(101)上制备底电极(104)；

S1、在底电极(104)远离衬底(101)的一侧沉积压电薄膜(105)；

S2、在压电薄膜(105)远离底电极(104)的一侧制备顶电极(106)；

S3、在顶电极(106)远离压电薄膜(105)的一侧制备石墨烯互连层(107)；

S4、通过刻蚀工艺使石墨烯互连层图形化，并使其图形与顶电极(106)重合；

S5、在石墨烯互连层上淀积催化剂(109)；

S6、生长碳纳米管(108)；

S7、在衬底(101)上围绕谐振结构刻蚀出腐蚀孔，并采用横向刻蚀或气相刻蚀的方法在谐振结构的下方形成空腔(102)。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，步骤S6中采用化学气相沉积方法生长碳纳米管(108)，所述的化学气相沉积方法为等离子体增强型化学气相淀积或热化学气相淀积或微波等离子体化学气相淀积。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，步骤S5中采用真空蒸发或溅射的方法淀积催化剂(109)，所述的催化剂(109)的厚度为0.5nm-10nm。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，步骤S3中采用转移法或化学气相淀积方法或金属薄膜热退火制备石墨烯互连层；步骤S4中采用干法等离子体刻蚀法刻蚀石墨烯互连层。