[发明专利]一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件结构及制作方法

权利要求书

1.一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件制作方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1：清洗晶圆后，通过MOCVD在硅基上淀积GaN和中间缓冲层AlGaN和p-GaN；通过PVD及LPCVD过程淀积Mo作为栅金属，Ni和SiO_x作为刻蚀保护层；

步骤2：通过PECVD淀积AlO_x作为侧墙封包栅金属Mo；

步骤3：通过BCl₃/Ar的ICP-RIE刻蚀工艺去除多余的AlO_x；

步骤4：通过Cl₂/N₂/O₂的ICP-RIE工艺选择性刻蚀p-GaN；

步骤5：PVD淀积和退火过程形成源极和漏极的欧姆接触，通过BOE去除SiO_x和AlO_x，并采用PECVD方法淀积SiN_x介质层，完成器件制作。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤1中所述GaN层的厚度为3.2μm，AlGaN层的厚度为12.5nm，p-GaN层的厚度为80nm，Mo层的厚度为100nm，Ni层的厚度为20nm，以及SiO_x层的厚度为300nm。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤2中所述AlO_x层的厚度为50nm。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤4中所述Cl₂/N₂/O₂气体流量分别为30、10、3sccm，刻蚀时间为5min。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤5中所述SiN_x介质层的厚度为100nm。

6.如权利要求1中所述方法制备的AlGan/GaN HEMT器件结构，其特征在于，所述结构包括衬底、缓冲层、本征GaN层、本征AlGaN层、p-GaN层、栅金属层、源电极、漏电极、钝化层；所述p-GaN层位于本征AlGaN层之上，源漏电极位于本征AlGaN层之上，栅金属层位于p-GaN层之上；在衬底上外延生长增强型AlGaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成源极和漏极，栅金属层下方存在p-GaN外延层，形成增强型器件，最后淀积钝化层实现器件的钝化。