[发明专利]一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法在审
申请号: | 201910002563.7 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109721036A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 刘琳;庞晓露;高克玮;杨会生 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 硒化铅 制备 化学液相法 硒粉 半导体材料 硒代硫酸钠 柠檬酸钠 氢氧化钾 亚硫酸钠 原料制备 沉积液 醋酸铅 络合剂 水浴锅 铅源 收率 硒源 加热 合成 应用 | ||
本发明涉及一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法,属于半导体材料的制备领域。本发明采用的是醋酸铅和硒粉,分别为铅源和硒源,以硒粉和亚硫酸钠为原料制备硒代硫酸钠,以柠檬酸钠为络合剂,通过氢氧化钾调节pH值,将沉积液放置水浴锅中,在75℃下加热3~4小时,干燥后得到的硒化铅薄膜。本发明合成方法中所用的原料易得,工艺简便,成本低、收率高和能大规模生产薄膜的优点,因此该方法具有非常广阔的应用前景。
技术领域
本发明涉及一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法,该方法简便易行,无毒环保,具有普适性,能够在实验室中进行快速有效的制备,属于半导体材料的制备领域。
背景技术
硒化铅薄膜是一类重要的半导体材料,具有窄的禁带宽度(0.27eV,300K)。因为其介电常数较大,折射率高达5.5,折射率温度系数也达到-0.002K-1,透明波段宽,短波吸收限为3.4μm,在4μm到16μm的吸收系数小,且易沉积,可以制成很好的红外光学薄膜,并且广泛的应用于制造红外探测器、激光发射器、热电转换器、太阳能电池、发光二极管、超离子材料、薄膜晶体管等半导体器件。该材料在国防及工、农业建设中得到了大规模应用,近几十年来受到了科学界的广泛重视。
制备硒化铅薄膜的方法有很多,如电化学沉积法(ECD)、分子束外延法(MBE)、真空气相沉积法(VPD),原子层沉积法(ALD),溅射沉积法等。与这些制备方法比较,化学液相法从性能价格比上来说具有明显的优势,是广泛应用的一种方法。在相对较低的温度下,不需要任何特殊的设置和任何复杂的仪器,且制备的薄膜晶粒更加紧密,表面更加光滑。化学液相法具有成本低、收率高和能大规模生产薄膜等特点,在合成金属硫族化物晶体时有很大前景。
对比论文文献:罗飞,王锦鹏,陶春虎等.化学液相沉积制备PbSe薄膜生长过程及其性能研究[J].航空材料学报2011,31(02):33-36;与其不同点在此特地指出。首先,原料的不同,本发明中柠檬酸钠是作为络合剂使用的,得到的薄膜更加细致,可见附图2;其次,本发明的实验顺序、过程是要按照严格地络合过程来实现的,这是通过大量实验验证得到的。
发明内容
本发明是针对现有技术的不足,发明了一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法。
一种化学液相法制备硒化铅薄膜的方法,其特征在于以醋酸铅和硒粉为铅源和硒源,沉积液以硒粉和亚硫酸钠为原料制备硒代硫酸钠,以柠檬酸钠为络合剂,通过氢氧化钾调节pH值,将沉积液放置水浴锅中,在75℃下加热3~4小时,干燥后得到的硒化铅薄膜。
本发明合成方法中所用的原料易得,工艺简便,成本低、收率高和能大规模生产薄膜的优点,因此该方法具有非常广阔的应用前景。
化学液相法制备硒化铅薄膜的实验原理如下:
Se+Na2SO3→Na2SeSO3
(SeSO3)2-+2OH-→Se2-+SO42-+H2O
Pb2++Se2-→PbSe↓
如上所述的化学液相法制备硒化铅薄膜的方法,具体制备步骤如下:
a.制备前对衬底进行去油、去污清洗,放入无水乙醇中经过超声波清洗15~20min,再放入无水乙醇中浸泡;
b.制备硒代硫酸钠溶液:将适当比例的硒粉与亚硫酸钠放入容器中,加入去离子水,在90℃下边搅拌边加热24h,过滤除去未反应的硒粉和硒酸盐,得到硒代硫酸钠溶液;
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