[发明专利]一种新型可控有机晶体生长设备及其制备有机单晶的方法

权利要求书

1.一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：包括基座板、电动平移台、升降台、俯仰台、刮臂、刮刀、散热底座、半导体电制冷片、导热片；

所述电动平移台固定安装在基座板上，散热底座固定设置在电动平移台的动作平台上，所述半导体电制冷片固定于散热底座的上表面，所述导热片设置于半导体电制冷片上；

所述升降台位于电动平移台的一侧并固定在基座板上，俯仰台安装在升降台上，所述刮臂的一端固定安装在俯仰台的动作台上，刮臂的另一端安装刮刀，通过升降台调节刮刀的高度，通过俯仰台调节刮刀俯仰角度。

2.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述导热片采用一铜片。

3.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：铜片上设置有用于安装热电阻探头的安装孔，将热电阻探头嵌入在该安装孔中，用于采集导热片的实时温度数据。

4.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：半导体电制冷片外接直流电源，根据导热片上的热电阻探头反馈的实时温度数据，通过对半导体电制冷片输入电流的控制，可实现对导热片的高精度温度控制。

5.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述刮刀为立方体形状，立方体的一个顶边作为刀刃。

6.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述的为半导体电制冷片供电的直流电源采用可编程直流电源，其与PC连接，该可编程直流电源选用Henghui PLD-3605M型号；PC通过数据采集器与热电阻探头连接，PC通过labview编程，采用PID算法，实现对导热片的高精度温度控制。

7.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述电动平移台的型号为Thorlabs的直驱线性平移台DDSM100，其提供精度为0.5um的100mm行程，该电动平移台的伺服驱动电机连接PC，通过Kinesis软件控制电动平移台的各项参数。

8.根据权利要求1所述的一种新型可控有机晶体生长设备，其特征在于：所述升降台的型号为GCM-162。

9.根据权利要求1所述的新型可控有机晶体生长设备制备有机单晶的方法，其特征在于：将洗净的硅片放置于导热片上，调节升降台和俯仰台，使刮刀的刀刃距离硅片一定距离并且保持与硅片平行，在电动平移台的旁边设置有显微镜，调节过程中，利用显微镜观察刀刃和硅片的距离；然后设置导热片温度，待温度稳定后，通过移液枪向硅片上滴入有机晶体生长原液，设置电动平移台移速，并启动电动平移台，等待刮刀完全移过硅片，在硅片上获得了整块有机单晶。

10.根据权利要求9所述的新型可控有机晶体生长设备制备有机单晶的方法，其特征在于：刮刀的刀刃距离硅片40-80um；设置电动平移台移速为0.2-0.6mm/s。