[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
申请号: | 201910002593.8 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109728050A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列基板 薄膜晶体管 显示面板 感光传感器 衬底基板 显示装置 漏极 制备 阳极氧化处理 导电沟道 绝缘介质 亮度补偿 实时检测 电连接 均一性 内置 像素 发光 金属 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板,位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管,以及与所述第一薄膜晶体管连接的感光传感器;其中,
所述感光传感器位于所述第一薄膜晶体管的漏极之上且与所述漏极电连接;
所述第一薄膜晶体管的导电沟道之上具有金属通过阳极氧化处理形成的绝缘介质部。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,形成所述绝缘介质部的金属与所述第一薄膜晶体管的漏极为同一金属层。
3.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1或2所述的阵列基板;所述感光传感器和所述第一薄膜晶体管位于所述显示面板的非显示区域。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为OLED显示面板;所述阵列基板还包括:位于显示区域的发光器件,以及与所述发光器件连接的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管位于相同膜层。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为LCD显示面板;所述阵列基板还包括:位于显示区域的第三薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管位于相同膜层。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求3-5任一项所述的显示面板。
7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和有源层;
在所述有源层上形成金属层图形,所述金属层图形包括源极、漏极以及覆盖导电沟道的区域;
对所述金属层图形中覆盖所述导电沟道的区域进行阳极氧化处理,形成绝缘介质部;
在所述漏极上形成感光传感器。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述对所述金属层图形中覆盖所述导电沟道的区域进行阳极氧化处理,形成绝缘介质部,具体包括:
在所述金属层图形上形成光刻胶层;
对所述光刻胶层进行图形化处理,露出所述金属层图形中覆盖导电沟道的区域;
以图形化处理后的光刻胶层作为遮挡,对所述金属层图形中覆盖所述导电沟道的区域进行阳极氧化处理,形成绝缘介质部。
9.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述以图形化处理后的光刻胶层作为遮挡,对所述金属层图形中覆盖所述导电沟道的区域进行阳极氧化处理,形成绝缘介质部,具体包括:
在常压和室温的条件下,采用柠檬酸溶液,在恒流恒压的模式的下利用电解方式,使所述金属层图形中覆盖所述导电沟道的区域表面形成金属氧化物薄膜。
10.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述在所述漏极上形成感光传感器,具体包括:
在所述漏极上依次形成磷或砷掺杂半导体层、本征半导体层、硼掺杂半导体层以及透明导电氧化物层;
采用同一掩模板进行构图后,对透明导电氧化物层进行湿刻图形化,对所述磷或砷掺杂半导体层、本征半导体层和硼掺杂半导体层进行干刻图形化,形成所述感光传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的