[发明专利]一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器及探测系统在审
| 申请号： | 201910003120.X | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109742165A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王肖沐;缪峰;高安远 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/107;H01L31/112;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维材料 薄膜层 绝缘层 堆叠部位 探测系统 雪崩光电探测器 金属电极层 层状材料 漏电极层 源电极层 栅电极层 探测器 二维 优良性能 电流表 电压源 宽带隙 异质结 堆叠 雪崩 覆盖 噪声 铺设 | ||
1.一种基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：包括绝缘层(2)、金属电极层、第一二维材料薄膜层(4)和第二二维材料薄膜层(5)；金属电极层包括漏电极层(32)、源电极层(31)和栅电极层(33)；第一二维材料薄膜层(4)和第二二维材料薄膜层(5)铺设在绝缘层(2)上，两者部分堆叠，源电极层(31)覆盖在第一二维材料薄膜层(4)的非堆叠部位，漏电极层(32)覆盖在堆叠部位上方或第二二维材料薄膜层(5)的非堆叠部位，栅电极层(33)与绝缘层(2)连接。
2.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述栅电极层(33)位于绝缘层(2)下方。
3.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述栅电极层(33)位于绝缘层(2)上方，并通过另一绝缘层(2)与所述漏电极层(32)、源电极层(31)和第二二维材料薄膜层(5)连接。
4.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述栅电极层(33)为两个，一个位于绝缘层(2)下方，另一个位于绝缘层(2)上方，并通过另一绝缘层(2)与所述漏电极层(32)、源电极层(31)和第二二维材料薄膜层(5)连接。
5.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述第一二维材料薄膜层(4)为n型材料，所述第二二维材料薄膜层(5)为p型材料。
6.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述第二二维材料薄膜层(5)为n型材料，所述第一二维材料薄膜层(4)为p型材料。
7.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述绝缘层(2)为二氧化硅层、氧化铝层或氧化铪层。
8.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述漏电极层(32)覆盖在第二二维材料薄膜层(5)的非堆叠部位。
9.根据权利要求1所述的基于二维层状材料的雪崩光电探测器，其特征在于：所述绝缘层(2)下方设置基底(1)。
10.一种基于二维层状材料的雪崩探测系统，其特征在于：包括权利要求1-9任一项所述的探测器，还包括电压源及电流表；源电极层(31)连接电压源的负极并接地，电压源的正极通过电流表连接所述漏电极层(32)；栅电极层(33)连接另一个电压源的正极；两个电压源的负极连接在一起并接地。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
