[发明专利]晶体横向生长设备及晶体横向生长方法

权利要求书

1.一种晶体横向生长设备，其特征在于，包括：炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚，所述的炉体内从上往下依次设置有第一保温层和第二保温层，所述的导车置于第一保温层和第二保温层之间，所述的第一保温层底部的中间区域为高温区，高温区的中心设置有发热体，所述的第二保温层顶部的中间区域为高温区，高温区的中心设置有发热体，所述的坩埚装于导车中。

2.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的第一保温层为高温耐火砖。

3.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的第二保温层为高温耐火砖。

4.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的发热体为硅钼棒或中频加热棒。

5.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的发热体由温控装置控制。

6.一种晶体横向生长方法，其特征在于，其采用权利要求1~4任一项所述的晶体横向生长设备进行晶体横向生长，其生长方法包括以下步骤：

（1）将生长晶体所需的原料混合后填入坩埚中，然后将坩埚放入导车中，由导车将坩埚由低温区移入高温区；

（2）原料融化变成液体，达到最大的液化状态，再慢慢移出高温区，液体慢慢按所需的晶格进行排列组合固化，生成晶体。

7.根据权利要求6所述的晶体横向生长方法，其特征在于，步骤（1）中生长晶体所需的原料为氧化锗和氧化铋的混合物，氧化锗和氧化铋的重量配比为1:3。

8.根据权利要求6所述的晶体横向生长方法，其特征在于，高温区的温度为1200~1250℃，高温区的长度大于等于1m。

9.根据权利要求6所述的晶体横向生长方法，其特征在于，步骤（1）中导车移动速度为0.8~1.2mm/h。