[发明专利]半导体结构中二极管的电参数的测试方法在审

申请号：	201910003281.9	申请日：	2019-01-03
公开（公告）号：	CN111403305A	公开（公告）日：	2020-07-10
发明（设计）人：	孙晓峰;秦仁刚	申请（专利权）人：	无锡华润上华科技有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66
代理公司：	广州华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	邓云鹏
地址：	214028 江苏省无***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	半导体结构二极管参数测试方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体结构中二极管的电参数的测试方法，包括：

步骤A，形成半导体结构；所述半导体结构包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、第一导电类型阱区及隔离区，所述隔离区位于所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区之间，所述隔离区将所述第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区隔离；所述第一导电类型阱区的一部分位于所述第一导电类型掺杂区的下方并与所述第一导电类型掺杂区接触、一部分位于所述第二导电类型掺杂区的下方并与所述第二导电类型掺杂区接触，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；

步骤B，将测试设备的第一测试头与所述第一导电类型掺杂区接触、第二测试头与所述第二导电类型掺杂区接触，测试由第二导电类型掺杂区和第一导电类型阱区组成的二极管的电参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区的掺杂浓度大于所述第一导电类型阱区的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区设于所述第二导电类型掺杂区的外围，从而在平面上将所述第二导电类型掺杂区包围。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离区与所述第一导电类型阱区是在同一步掺杂工艺中形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤A包括：

获取衬底；

在所述衬底中掺杂形成所述第一导电类型阱区；

在所述衬底中分别掺杂形成所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区之间的第一导电类型阱区作为所述隔离区。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型阱区的注入深度均比所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的注入深度深1微米～2微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B测试的电参数包括反向电压和结电容。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的掺杂浓度相同。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区的注入深度相同。