[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一鳍型图案和第二鳍型图案，从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸；

虚设鳍型图案，从基底突出，并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；

第一栅极结构，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于第一鳍型图案上；

第二栅极结构，在第二方向上延伸，位于第二鳍型图案上；以及

盖图案，在第二方向上延伸，位于第一栅极结构和第二栅极结构上，

其中，盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分，并且

虚设鳍型图案和分离部分使第一栅极结构与第二栅极结构分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，虚设鳍型图案包括半导体材料，并且分离部分包括绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，分离部分的下表面比虚设鳍型图案的上表面低或者与虚设鳍型图案的上表面处于同一高度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

绝缘衬里，沿着第一栅极结构的侧壁和盖图案的侧壁延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，虚设鳍型图案包括位于盖图案的两侧上的沟槽，并且

绝缘衬里还沿着沟槽的下表面和侧壁延伸。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

源极/漏极区域，位于第一鳍型图案中，并位于第一栅极结构的两侧上，

其中，绝缘衬里还沿着源极/漏极区域的外表面延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第一源极/漏极区域，位于第一鳍型图案中，并位于第一栅极结构的两侧上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第二源极/漏极区域，位于第二鳍型图案中，并位于第二栅极结构的两侧上，

其中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域包括相同导电类型的杂质。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一鳍型图案包括位于第一栅极结构的两侧上的沟槽，并且

第一源极/漏极区域填充所述沟槽。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，盖图案的位于虚设鳍型图案上的宽度比盖图案的位于第一鳍型图案上的宽度小。

11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

虚设鳍型图案，从基底突出并且在第一方向上延伸；

第一栅电极，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位于虚设鳍型图案上；

第一盖图案，在第二方向上延伸并且与虚设鳍型图案接触，位于第一栅电极上；

绝缘衬里，沿着第一栅电极的侧壁和第一盖图案的侧壁延伸；以及

层间绝缘膜，位于绝缘衬里上，

其中，第一栅电极通过虚设鳍型图案和第一盖图案而电分离，

虚设鳍型图案包括位于第一盖图案的两侧上的沟槽，并且

绝缘衬里还沿着沟槽的下表面和侧壁延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，第一盖图案包括：

延伸部分，在第一栅电极上沿着第二方向延伸；以及

分离部分，从延伸部分的下表面向下突出并且与虚设鳍型图案接触。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，虚设鳍型图案通过绝缘衬里与层间绝缘膜间隔开。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，层间绝缘膜填充形成有绝缘衬里的沟槽的剩余区域。