[发明专利]一种高共模抑制比的电流反馈型仪表放大器

权利要求书

1.一种高共模抑制比的电流反馈型仪表放大器，其特征在于，包括：输入跨导放大电路(1)、输入跨导平衡电路(2)、反馈跨导放大电路(3)、反馈跨导平衡电路(4)及跨导电容高通滤波电路(5)，其中所述输入跨导电路(1)的信号输出端分别接所述输入跨导平衡电路(2)、反馈跨导放大电路(3)的信号输出端，所述输入跨导平衡电路(2)的信号输入端接所述输入跨导放大电路(3)差分输入对的漏极端，所述反馈跨导放大电路(3)的信号输入端分别接所述反馈跨导平衡电路(4)的输出端及跨导电容高通滤波电路(5)的输出端，所述反馈跨导平衡电路(4)的信号输入端接所述反馈跨导放大电路(3)输入差分对的漏极端，所述反馈跨导平衡电路(4)的信号输出端接跨导电容高通滤波电路(5)的输入端；

所述的输入跨导平衡电路(2)平衡输入跨导放大电路(1)两端的电流，反馈跨导平衡电路(4)平衡反馈跨导放大电路(3)两端的电流，通过设定反馈跨导放大电路(3)输入差分对及输入跨导放大电路(1)输入差分对源极连接的电阻阻值之比来设定增益值。

2.根据权利要求1所述的一种高共模抑制比的电流反馈型仪表放大器，其特征在于，所述输入跨导放大电路(1)包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、电阻R1，其中PMOS管M1的栅极作为输入端与外部信号相连，PMOS管M1的源极与PMOS管M3管的漏极及电阻R1一端相连，PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的漏极、NMOS管M11的栅极相连，PMOS管M2的栅极作为另一输入端与外部信号相连，PMOS管M2的源极与PMOS管M4管的漏极及电阻R1另一端相连，PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的漏极、NMOS管M12的栅极、NMOS管M5及NMOS管M6的栅极相连，PMOS管M3的栅极作为输出端与PMOS管M7的漏极、PMOS管M17的栅极相连，PMOS管M3的源极与电源电压VDD相连，PMOS管M3的栅极作为输出端与PMOS管M9的漏极、PMOS管M17的栅极相连，PMOS管M3的源极与电源电压VDD相连，PMOS管M4的栅极作为另一输出端与PMOS管M8的漏极、PMOS管M18的栅极相连，PMOS管M4的源极与电源电压VDD相连，NMOS管M5的源极及NMOS管M6的源极与地电压GND相连。

3.根据权利要求2所述的一种高共模抑制比的电流反馈型仪表放大器，其特征在于，所述输入跨导放大电路(1)中，PMOS管M3、PMOS管M4的栅极分别连接至PMOS管M9、PMOS管M10的漏极，为整个电路提供偏置电流，PMOS管M5、PMOS管M6的栅极连接至M6的漏极形成二极管连接，作为整个结构的有源负载，PMOS管M1、PMOS管M2作为输入差分对将输入信号转换为流经电阻R1上的电阻Ii，并将Ii通过PMOS管M3、PMOS管M4与PMOS管M17、PMOS管M18形成的电流镜复制到电阻R2上。

4.根据权利要求1-3之一所述的一种高共模抑制比的电流反馈型仪表放大器，其特征在于，所述输入跨导平衡电路(2)包括：PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14，其中PMOS管M7的栅极与PMOS管M8的栅极相连，并外接偏置电压Vb2，PMOS管M7的源极与NMOS管M11的漏极相连，PMOS管M7的漏极与PMOS管M9的漏极相连，PMOS管M8的源极与NMOS管M12的漏极相连，PMOS管M8的漏极与PMOS管M10的漏极相连，PMOS管M9的栅极与PMOS管M10的栅极相连，并外接偏置电压Vb1，PMOS管M9的源极与PMOS管M10的源极共同与电源电压VDD相连，NMOS管M11的源极与NMOS管M13的漏极相连，NMOS管M12的漏极与NMOS管M14的漏极相连，NMOS管M13的栅极与NMOS管M14的栅极、PMOS管M33的栅极、PMOS管M34的栅极、NMOS管M32的栅极相连并外接偏置电压Vb3，NMOS管M13的漏极与M11的漏极相连，NMOS管M13的源极与地电压GND相连，NMOS管M14的漏极与M12的漏极相连，NMOS管M14的源极与地电压GND相连。