[发明专利]硅片切割保护液及其制备方法、硅片切割方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片切割保护液及其制备方法、硅片切割方法。所述硅片切割保护液，包括去离子水以及溶解于所述去离子水中的分散剂和/或非离子型表面活性剂。本发明减少了静电对硅片造成的损伤，提高了半导体产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片切割保护液及其制备方法、硅片切割方法。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。

其中，3DNAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

封装是3DNAND等半导体产品制造过程中的一个关键步骤，而硅片切割又是封装工艺中至关重要的一步。但是，在现有的硅片切割工艺中，切割刀在对切割道进行切割时，会因为摩擦而产生静电，静电则极易对硅片上的器件结构造成损坏。

因此，如何减少切割过程中产生的静电对硅片的损伤，提高半导体产品的良率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种硅片切割保护液及其制备方法、硅片切割方法，用于解决现有技术中切割产生的静电易对硅片造成损伤的问题，以提高半导体产品的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种硅片切割保护液，包括：

去离子水；

分散剂和/或非离子型表面活性剂，溶解于所述去离子水中。

优选的，所述分散剂为聚乙二醇。

优选的，包括：

重量份数为50份～150份的所述去离子水；

重量份数为7份～11份的所述分散剂。

优选的，所述非离子型表面活性剂的重量份数为20份～35份。

优选的，所述非离子型表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。

优选的，还包括润滑剂。

优选的，所述润滑剂的重量份数为2份～5份。

优选的，所述润滑剂为甘油。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种硅片切割保护液的制备方法，包括如下步骤：

加入分散剂和/或非离子型表面活性剂至去离子水中，形成保护液。

优选的，形成保护液的具体步骤包括：

加入重量份数为7份～11份的所述分散剂或重量份数为20份～35份的非离子型表面活性剂至重量份数为50份～150份的所述去离子水中，形成所述保护液。

优选的，所述分散剂为聚乙二醇。

优选的，形成保护液的具体步骤包括：

加入重量份数为7份～11份的所述分散剂至重量份数为50份～150份的所述去离子水中并搅拌，形成第一溶液；

加入重量份数为20份～35份的非离子型表面活性剂至所述第一溶液中并搅拌，形成所述保护液。

优选的，所述非离子型表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚。