[发明专利]电致发光装置在审
申请号: | 201910004791.8 | 申请日: | 2019-01-03 |
公开(公告)号: | CN110021640A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 朴明绪 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光装置 光透射区域 封装结构 柔性基底 像素发射 玻璃基 非通孔 外部光 透射 | ||
1.一种电致发光装置,所述电致发光装置包括:
下结构;以及
封装结构,设置在所述下结构上,
其中,所述下结构包括:无机多层;平坦化层,是透明的并且设置在所述无机多层上;反射电极,是设置在所述平坦化层上的独用的层;像素限定层,是透明的,设置在所述平坦化层上,并且包括覆盖所述反射电极的侧部的像素限定部分和下面未设置有所述反射电极的第一间隔件;中间多层,设置在所述反射电极上并且具有至少一个中间共用层;以及半透明电极,是设置在所述中间多层上的共用层,
其中,所述下结构具有光透射区域和围绕所述光透射区域的至少一部分的显示区域,
其中,所述第一间隔件和所述平坦化层的设置在所述第一间隔件下面的部分被包括在所述光透射区域中,
其中,包括所述反射电极、所述中间多层和所述半透明电极的电致发光单元被包括在所述显示区域中,
其中,所述第一间隔件不被从所述中间共用层和所述半透明电极的组中选择的至少一个覆盖,并且
其中,所述第一间隔件具有比所述像素限定部分高得多的高度。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述像素限定层还包括第二间隔件,所述第二间隔件具有与所述第一间隔件相同的高度且具有比所述第一间隔件小得多的面积,
其中,所述中间多层还包括至少一个中间独用的层,
其中,所述中间独用的层不覆盖所述第一间隔件和所述第二间隔件,并且
其中,所述中间共用层和所述半透明电极覆盖第二间隔件。
3.根据权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述下结构还包括设置在所述无机多层下面的基底,
其中,所述无机多层具有设置在所述第一间隔件下面并且填充有所述平坦化层的至少一个凹进或者设置在所述第一间隔件下面并且填充有所述平坦化层的至少一个孔。
4.根据权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述下结构还包括设置在所述半透明电极上的钝化层,所述钝化层是半导电的或导电的共用层,
其中,所述钝化层不覆盖所述第一间隔件。
5.根据权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述下结构具有缓冲区域,所述缓冲区域具有在所述显示区域与所述光透射区域之间沿所述光透射区域的轮廓延伸的至少一部分,以使所述显示区域与所述光透射区域彼此分离,
其中,所述下结构具有围绕所述显示区域和所述光透射区域的无机表面部分,
其中,所述封装结构具有无机下表面,并且
其中,所述封装结构的所述无机下表面与所述下结构的所述无机表面部分接触,以形成围绕所述显示区域和所述光透射区域的无机-无机封装接触区域。
6.一种电致发光装置,所述电致发光装置包括:
下结构;以及
封装结构,设置在所述下结构上,
其中,所述下结构包括:显示区域;光透射区域,具有包括由所述显示区域围绕的至少一部分的非通孔结构;以及缓冲区域,具有在所述显示区域与所述光透射区域之间沿所述光透射区域的轮廓延伸的至少一部分,以使所述显示区域与所述光透射区域彼此分离,并且
其中,所述下结构还包括在所述缓冲区域的所述至少一部分中沿所述光透射区域的所述轮廓延伸的光阻挡结构。
7.根据权利要求6所述的电致发光装置,
其中,所述下结构还包括:
无机多层;
平坦化层,是透明的并且设置在所述无机多层上;
反射电极,是设置在所述平坦化层上的独用的层;
像素限定层,是透明的并且设置在所述平坦化层上,以覆盖所述反射电极的侧部;
中间多层,设置在所述反射电极上;以及
半透明电极,是设置在所述中间多层上的共用层,
其中,所述像素限定层具有在所述缓冲区域的所述至少一部分中沿所述光透射区域的所述轮廓延伸的侧壁,并且
其中,所述光阻挡结构包括半透明构件,所述半透明构件在所述像素限定层上延伸以覆盖所述像素限定层的所述侧壁,并且与所述半透明电极是单个部件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的