[发明专利]减薄硅片的方法

说明书

本发明公开了一种减薄硅片的方法，包括钝化层光刻和钝化层刻蚀步骤，所述钝化层光刻步骤中钝化层光罩版上对应硅片表面的划片道区域的部分定义为不可透光，以使所述钝化层刻蚀步骤中所述硅片表面的划片道区域覆盖光刻胶；所述光刻胶用于阻止所述硅片表面的划片道区域在所述钝化层刻蚀过程中被刻蚀。由此增加了钝化层刻蚀步骤后硅片表面上网格状的划片道区域的钝化层的厚度，增加了硅片的表面张力，进而平衡减薄后的硅片应力，有效地降低了减薄后硅片的翘曲度，满足后续生产的要求。

技术领域

本发明属于半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种减薄硅片的方法。

背景技术

在半导体器件制造过程中，在切割、抛光硅片后，一般经过如图1所示的流程进行生产，依次包括硅片表面钝化层生长、钝化层光刻、钝化层刻蚀、背面粗砂研磨、背面细砂研磨、清洗、背面蒸金和封装步骤。通常硅片在减薄到140微米以下时，由于应力原因，会有较大的弯曲。在重力的作用下，减薄后的硅片翘曲度可以超过10毫米以上，这会造成在后续加工过程中容易出现硅片碎片或隐裂，影响后续生产，对半导体器件的制造的成品率及成本产生较大影响。如何有效控制、改善减薄硅片的翘曲就成了半导体制造工艺的一个重大课题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中硅片在减薄到一定程度时翘曲度过大，容易造成后续加工过程中出现碎片或隐裂，影响后续生产的缺陷，提供一种能够改善翘曲度的减薄硅片的方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本发明实施例提供了一种减薄硅片的方法，包括钝化层光刻和钝化层刻蚀步骤，在钝化层光刻步骤中将钝化层光罩版上对应硅片表面的划片道区域的部分定义为不可透光，以使钝化层刻蚀步骤中硅片表面的划片道区域覆盖光刻胶，光刻胶用于阻止硅片表面的划片道区域在钝化层刻蚀过程中被刻蚀。

较佳地，在钝化层刻蚀步骤后，得到的硅片表面的划片道区域的钝化层的厚度大于1微米。

较佳地，方法还包括背面粗砂研磨和背面细砂研磨步骤，提高背面细砂研磨的比例。

较佳地，背面细砂研磨的比例大于5％。

较佳地，背面细砂研磨的厚度大于20微米。

较佳地，背面细砂研磨的速率小于0.5微米/秒。

较佳地，背面细砂研磨步骤中砂轮的齿轮的目数大于5000目。

本发明的积极进步效果在于：本发明提供的减薄硅片的方法通过在钝化层光刻步骤中将钝化层光罩版上对应硅片表面的划片道区域的部分定义为不可透光，使钝化层刻蚀步骤中硅片表面的划片道区域覆盖有光刻胶，防止硅片表面的划片道区域在钝化层刻蚀过程中被刻蚀，由此增加了钝化层刻蚀步骤后硅片表面上网格状的划片道区域的钝化层的厚度，增加了硅片的表面张力，进而平衡减薄后的硅片应力，有效地降低了减薄后硅片翘曲度。进一步地，通过提高细砂研磨的比例、降低细砂研磨的速率以及增加砂轮的齿轮的目数，有效改善硅片减薄后的翘曲度，满足后续生产的要求。

附图说明

图1为现有技术中常用的一种硅片加工方法的流程图。

图2为本发明的一较佳实施例的减薄硅片的方法的流程图。

具体实施方式

下面通过一较佳实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

本实施例提供了一种减薄硅片的方法，参照图2，本实施例的减薄硅片的方法包括以下步骤：

步骤S101、钝化层生长。

钝化工艺是在抛光硅片的表面覆盖保护介质膜，以防止硅片表面污染的工艺，常用介质是热生长的二氧化硅膜。