[发明专利]一种太赫兹辐射源及其制备方法

权利要求书

1.一种太赫兹辐射源，包含内嵌的周期极化铌酸锂芯层(4)和复合微带线结构，所述周期极化铌酸锂芯层(4)为脊型；其特征在于，所述复合微带线结构自下向上包括硅基底(1)、下层金膜(2)、有机高分子材料包层(3)和两端侧壁金电极(5)及上层金电极(6)，所述周期极化铌酸锂芯层(4)内嵌于有机高分子材料包层(3)中；其中：

所述周期极化铌酸锂芯层(4)作为泵浦光传输通道，由于光整流效应泵浦光在此通道内激发出太赫兹波，太赫兹波在周期极化铌酸锂芯层(4)中辐射出来，从而降低相关器件的传输损耗；

所述复合微带线结构作为太赫兹波传输线，其中下层金膜(2)作为导体板、所述有机高分子材料包层(3)作为介质基片和上层金电极(6)作为导体带三部分；

所述两端侧壁金电极(5)控制光波的输入与输出，增大耦合效率，使得太赫兹模场在复合微带线结构中传输。

2.一种太赫兹辐射源的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下流程：

步骤(1)、周期极化，即选用光学级Z切同成份或近化学计量比铌酸锂晶片为初始材料，外加电场极化在铌酸锂体材料上制备周期为10～50μm的周期反转畴结构；

步骤(2)、初步粘合，即采用硅晶体作为基底，其中：在硅基底上镀金，再在金层表面均匀旋涂一层有机高分子材料，厚度为2～10μm，再将制备好的周期极化铌酸锂晶体与之粘合；

步骤(3)、精密抛光及刻蚀，即选择厚度在300μm～600μm的周期极化铌酸锂层，采用精密抛光的方式将所述周期极化铌酸锂层抛光至10μm以内，再通过干法刻蚀技术，将铌酸锂层刻蚀成截面积小于5×5μm²的脊型；

步骤(4)、覆盖包层，即通过光刻曝光的方式进行辅助，将有机高分子材料再次旋涂后覆盖在周期极化铌酸锂晶体脊型的表面，形成上包层；

步骤(5)、包层刻蚀，即将多余的有机高分子材料刻蚀掉，最后再在上包层的表面用电镀方式制作调制金电极，最终得到包含内嵌周期极化铌酸锂芯层和复合微带线结构的太赫兹源。