[发明专利]薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统有效
| 申请号： | 201910005159.5 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109728098B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李广耀;汪军;王庆贺;王海涛;宋威;张扬;王东方;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 崔家源;夏东栋 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 传感器 检测 方法 装置 系统 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
第一绝缘层，所述第一绝缘层包括相对设置的第一面和第二面；
栅极，所述栅极设置在所述第一绝缘层的第一面上；
有源层，所述有源层设置在所述第一绝缘层的第二面上，所述有源层用于与待检测体内的铜离子反应；
源极组件和漏极组件，所述源极组件和所述漏极组件均设置在所述第一绝缘层的第二面上且分别位于所述有源层相对的两侧；
其中，所述源极组件包括贴靠在所述有源层侧方的源极和设置在所述源极外部的第二绝缘层；所述漏极组件包括贴靠在所述有源层侧方的漏极和设置在所述漏极外部的第三绝缘层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述第三绝缘层均为二氧化硅绝缘层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为石墨烯电极。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极为碳纳米管电极。
5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为黑磷纳米片有源层。
6.一种传感器，其特征在于，包括：电源、信号生成模块及如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管，所述电源分别与所述信号生成模块和所述薄膜晶体管连接；
所述薄膜晶体管，用于与待检测体内的铜离子反应并生成检测信号；
所述信号生成模块，用于基于所述检测信号生成通讯消息。
7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述电源为纳米发电机。
8.一种检测方法，应用权利要求6或7所述的传感器，其特征在于，包括：
接收来自所述传感器的通讯消息，其中，所述通讯消息包括所述传感器检测到的检测信号；
根据所述检测信号确定待检测体内的铜离子浓度。
9.一种检测装置，与权利要求6或7所述的传感器交互，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收来自所述传感器的通讯消息，其中，所述通讯消息包括所述传感器检测到的检测信号；
确定模块，用于根据所述检测信号确定待检测体内的铜离子浓度。
10.一种检测系统，其特征在于，包括：权利要求6或7所述的传感器和权利要求9所述的检测装置。
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