[发明专利]光刻胶图形及其形成方法

权利要求书

1.一种光刻胶图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成初始光刻胶图形层，所述初始光刻胶图形层包括图形密集区和图形稀疏区；

对所述初始光刻胶图形层进行至少一次蚀刻前预处理，形成光刻胶图形层，所述蚀刻前预处理的步骤包括：形成附着在所述初始光刻胶图形层表面的修整层；对表面附着有所述修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理，以减小所述初始光刻胶图形层的侧壁与基底表面之间的角度；或者，

所述蚀刻前预处理的步骤包括：形成附着在所述初始光刻胶图形层表面的修整层；对表面附着有所述修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理，以减小所述初始光刻胶图形层的侧壁与基底表面之间的角度；形成附着在剩余所述初始光刻胶图形层表面的修整层；

其中，在形成所述修整层的步骤中，附着在所述图形稀疏区初始光刻胶图形层表面修整层的量大于图形密集区初始光刻胶图形层表面修整层的量，而在对表面附着有所述修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理的步骤中，对图形稀疏区初始光刻胶图形层的修整处理速率大于对图形密集区初始光刻胶图形层的修整处理速率，且所述修整处理速率的差异小于在初始光刻胶图形层表面形成修整层的速率差异。

2.如权利要求1所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，形成所述修整层的步骤包括：采用等离子气体，处理所述初始光刻胶图形层，使等离子气体在所述初始光刻胶图形层表面反应，形成附着在初始光刻胶图形层表面的修整层。

3.如权利要求2所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述等离子气体为CH₄、SiCl₄、CH₃F和CH₂F₂中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述修整层材料为有机聚合物。

5.如权利要求1所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述修整层的材料为碳氟聚合物和碳氢聚合物中的一种或两种。

6.如权利要求1所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀工艺，对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理。

7.如权利要求6所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺采用方波脉冲式的偏置电压。

8.如权利要求7所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述方波脉冲的高电平的电压值为500V至1500V，低电平的电压值为0V至400V。

9.如权利要求7所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述方波脉冲的占空比为5%至90%，脉冲频率为100Hz至2000Hz。

10.如权利要求6所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺的参数包括：刻蚀气体为CF₄、CH₃F和NF₃，CF₄气体流量为0sccm至200sccm，CH₃F气体流量为50sccm至100sccm，NF₃气体流量为0sccm至200sccm，源功率为100W至1500W，工艺压强为1mtorr至200mtorr。

11.如权利要求1所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，形成所述初始光刻胶图形层之后，对所述初始光刻胶图形层进行蚀刻前预处理之前，所述形成方法还包括：对所述初始光刻胶图形层进行等离子体膨胀预处理以增大所述初始光刻胶图形层的体积。

12.如权利要求11所述的光刻胶图形的形成方法，其特征在于，所述等离子体膨胀预处理采用的气体为H₂或He。