[发明专利]具有电子迁移率的化合物及其制备方法、有机场效应器件及其制备方法

说明书

本发明公开了具有电子迁移率的化合物及其制备方法、有机场效应器件及其制备方法，涉及有机场效应晶体管材料技术领域。具有电子迁移率的化合物，提供了一类新型化合物，具有不错的电子迁移率，且制备方法简便易行。具有电子迁移率的化合物的制备方法通过噻吩硼酸取代物和2,5‑二溴苯‑1,4‑二酸二酯在钯催化剂存在的条件下反应，然后将反应物中的有机相分离得到中间产物；将中间产物依次经过水解、分离、脱水缩合得到产品。采用简单易得的原料，经简便的合成步骤制备而得，相较于传统的有机薄膜场效应晶体管具有不错的电子迁移率，可以用于制备有机场效应器件，克服了传统有机半导体材料合成步骤繁琐和电子迁移率低的问题。

技术领域

本发明涉及有机场效应晶体管材料技术领域，且特别涉及具有电子迁移率的化合物及其制备方法、有机场效应器件及其制备方法。

背景技术

有机场效应晶体管是一种利用有机半导体组成信道的场效应晶体管，其原料分子通常是含有芳环的π电子共轭体系。目前具有电子迁移率材料比较少，而且大部分化合物的合成需要多步合成步骤才能获得最终产物，这使得材料的制备成本很高，同时材料的制备周期也很长。

鉴于此，提出本申请。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有电子迁移率的化合物，其是具有不错的电子迁移率的新材料，且制备成本低。

本发明的另一目的在于提供一种具有电子迁移率的化合物的制备方法，其制备方法简便易行，制备得到的材料具有不错的电子迁移率。

本发明的第三目的在于提供一种有机场效应器件及其制备方法，其原料的制备成本低，整个器件的具有性能优良、造价低的优点。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明提出了一种具有电子迁移率的化合物，其结构为：

其中，R1为Cl、F或CN，R2为Cl、F、CN或CF₃；

优选地，R1和R2均为Cl。

本发明还提出一种具有电子迁移率的化合物的制备方法，包括以下步骤：

噻吩硼酸取代物、2,5-二溴苯-1,4-二酸二酯和溶剂形成的混合物在钯催化剂存在的条件下反应，然后分离有机相得到中间产物；

将中间产物在碱性条件下水解后，分离得到有机酸固体；

将有机酸固体进行脱水缩合反应；

其中，噻吩硼酸取代物为

其中，2,5-二溴苯-1,4-二酸二酯为2,5-二溴苯-1,4-二酸二甲酯或2,5-二溴苯-1,4-二酸二乙酯。

本发明还提出了一种有机场效应器件的制备方法，包括以下步骤：

将上述化合物或上述制备方法制备得到的化合物沉积在基底材料上；

优选地，采用物理气相沉积的方法将化合物固体气化，然后沉积于用OTMS修饰过的硅基底上。

本发明还提出了一种有机场效应器件，其由上述有机场效应器件的制备方法制备而得。

本发明实施例提供一种具有电子迁移率的化合物的有益效果是：其提供了一类新型化合物，具有不错的电子迁移率，且制备方法简便易行。本发明实施例提供的一种具有电子迁移率的化合物的制备方法，其通过噻吩硼酸取代物和2,5-二溴苯-1,4-二酸二酯在钯催化剂存在的条件下反应，然后将反应物中的有机相分离得到中间产物；将中间产物依次经过水解、分离然后和多聚磷酸反应得到产品。采用简单易得的原料，经简便的合成步骤制备而得，具有不错的电子迁移率。