[发明专利]一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路

权利要求书

1.一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路；

所述驱动电阻R_g的一端经过第一节点与所述驱动推挽电路串联，所述驱动电阻R_g的另一端与所述SiC MOSFET的栅极相连；

所述采样电路包括第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃、第四电阻R₄、第一电容C₁和第二电容C₂，其中，所述第一电阻R₁的一端经过第二节点与所述第二电阻R₂的一端串联，所述第一电阻R₁的另一端与所述第一节点相连，所述第二电阻R₂另一端接地，所述第三电阻R₃的一端经过第三节点与所述第四电阻R₄串联，所述第三电阻R₃的另一端接地，所述第四电阻R₄的另一端接地，所述第一电容C₁的一端与所述第二节点相连，所述第一电容C₁的另一端接地，所述第二电容C₂的一端与所述第三节点相连，所述第二电容C₂的另一端接地；

所述脉冲产生电路包括第一比较器comp1、第二比较器comp2和第一逻辑与门and1，其中，所述第一比较器comp1的输出端和所述第二比较器comp2的输出端分别连接至所述第一逻辑与门and1的输入端，所述第一比较器comp1的正极输入端与所述第二节点相连，所述第一比较器comp1的负极输入的参考电压为第一预设电压，所述第二比较器comp2的负极输入端与所述第三节点相连，所述第二比较器comp2的正极输入端的参考电压为第二预设电压；

所述驱动电压补偿电路包括第五电阻R₅、第六电阻R₆、第一开关管M₁、第二开关管M₂和第一二极管D₁，其中，所述第一开关管M₁的栅极与所述第一逻辑与门and1的输出端相连，所述第一开关管M₁的源极接地，所述第一开关管M₁的漏极与第四节点相连，所述第五电阻R₅一端与所述第四节点相连，所述第五电阻R₅另一端与预设供电电压相连，所述第二开关管M₂的栅极与所述第四节点相连，所述第二开关管M₂的源极与所述预设供电电压相连，所述第二开关管M₂的漏极与所述第六电阻R₆的一端相连，所述第六电阻R₆的另一端与所述第一二极管D₁的正极相连，所述第一二极管D₁的另一端与所述SiC MOSFET的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述SiC MOSFET为负压关断的SiC MOSFET或非负压关断的SiC MOSFET。

3.根据权利要求1所述的一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，所述有源驱动电路同样也适用于Si MOSFET或者IGBT。