[发明专利]用于制备无定形含锂化合物的气相沉积法

权利要求书

1.用于制备不含磷的无定形含锂氧化物或氧氮化物化合物的气相沉积法，其中含锂氧化物化合物是含有锂、氧和一种或多种其他元素的化合物，且含锂氧氮化物化合物是含有锂、氧、氮和一种或多种其他元素的化合物，该方法包括：

提供该化合物的每一组成元素的蒸气源，其中该蒸气源至少包括锂源、氧源、和一个或多个玻璃形成元素源；

将基材加热到>150℃的温度；和

从该蒸气源将该组成元素共沉积到该加热的基材上，

其中该组成元素在该基材上反应以形成该无定形化合物。

2.根据权利要求1的气相沉积法，包括将该基材加热到170或以上、或171℃或以上、或172℃或以上、或173℃或以上、或174℃或以上、或175℃或以上、或176℃或以上、或177℃或以上、或178℃或以上、或179℃或以上。

3.根据权利要求1-2中任一项的气相沉积法，其中该蒸气源还包括氮源，并且该无定形化合物为不含磷的含锂氧氮化物化合物。

4.根据权利要求1的气相沉积法，其中原子氧的蒸气源包括臭氧源。

5.根据权利要求1的气相沉积法，其中该原子氧的蒸气源包括等离子体源。

6.根据权利要求5的气相沉积法，其中该无定形化合物为不含磷的含锂氧氮化物化合物，并且该方法包括将氮引入等离子体源的进料中以提供混合的氧-氮等离子体用于共沉积到该加热的基材上。

7.根据权利要求1、2、4、或5的任一项的气相沉积法，其中该一个或多个玻璃形成元素源包括硼源和硅源，并且该无定形化合物为硼硅酸锂。

8.根据权利要求7的气相沉积法，其中该蒸气源还包括氮源，并且该无定形化合物为掺杂氮的硼硅酸锂。

9.根据权利要求1至6中任一项的气相沉积法，其中该不含磷的无定形含锂氧化物或氧氮化物化合物为硅酸锂、氧氮化硅酸锂、硼酸锂或氧氮化硼酸锂。

10.根据权利要求1-6的任一项的气相沉积法，其中该一个或多个玻璃形成元素源包括硼、硅、锗、铝、砷和锑中的一个或多个的源。

11.根据权利要求1-10的任一项的气相沉积法，其中将该组成元素共沉积到该加热的基材上包括将该组成元素直接共沉积到该加热的基材的表面上。

12.蓄电池的制造方法，包括使用根据权利要求1-11的任一项的气相沉积法沉积该蓄电池的电解质作为不含磷的无定形含锂氧化物或氧氮化物化合物的层。

13.样品，包括沉积在基材上的无定形硼硅酸锂的薄膜层。

14.根据权利要求13的样品，其中将无定形硼硅酸锂的薄膜层沉积在基材的表面上。

15.根据权利要求13的样品，其中将无定形硼硅酸锂的薄膜层沉积在该基材上支承的一个或多个层上。

16.蓄电池，包括无定形硼硅酸锂层的形式的电解质。

17.电子器件，包括蓄电池，该蓄电池具有无定形硼硅酸锂层的形式的电解质。

18.根据权利要求13-15中任一项的样品，根据权利要求16的蓄电池，或根据权利要求17的电子器件，其中硼硅酸锂是掺杂氮的硼硅酸锂。