[发明专利]光调制器件以及包括该光调制器件的装置有效
申请号: | 201910006984.7 | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN110609385B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 朴晶铉;崔秉龙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调制 器件 以及 包括 装置 | ||
1.一种光调制器件,包括:
驱动电路基板;
多个反射器,位于所述驱动电路基板上;
多个纳米天线,分别位于所述多个反射器上;
有源层,位于所述多个反射器和所述多个纳米天线之间,其中所述有源层被图案化并因而在其中包括多个开口;
第一绝缘层,位于所述多个反射器和所述有源层之间;
第二绝缘层,位于所述有源层和所述多个纳米天线之间;
多个第一连接构件,其配置为将所述驱动电路基板电连接到所述多个反射器;以及
多个第二连接构件,其配置为将所述驱动电路基板电连接到所述多个纳米天线,
其中通路孔形成在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中,所述多个第二连接构件形成于在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成的所述通路孔中以穿过所述有源层的所述多个开口,并且所述多个第二连接构件中的每个连接到所述多个纳米天线中的对应一个纳米天线,
其中所述有源层包括第一电荷浓度变化区和第二电荷浓度变化区,所述第一电荷浓度变化区与所述第一绝缘层相邻地定位,所述第二电荷浓度变化区与所述第二绝缘层相邻地定位。
2.根据权利要求1所述的光调制器件,其中所述有源层被图案化为包括多个线层的线图案,
其中所述多个开口中的每个开口形成在所述多个线层中的相邻线层之间。
3.根据权利要求1所述的光调制器件,其中所述有源层被图案化为网格图案,
其中所述多个开口由所述网格图案限定。
4.根据权利要求1所述的光调制器件,其中所述有源层具有栅格结构。
5.根据权利要求1所述的光调制器件,其中所述驱动电路基板包括多个单位单元区域,
其中所述多个单位单元区域中的每个包括至少一个晶体管和至少一个电容器。
6.根据权利要求5所述的光调制器件,其中所述多个单位单元区域中的每个包括两个晶体管和两个电容器。
7.根据权利要求5所述的光调制器件,其中所述多个单位单元区域中的每个包括第一子区域和第二子区域,
其中每个第一子区域连接到所述多个反射器中的一个,每个第二子区域连接到所述多个纳米天线中的一个。
8.根据权利要求7所述的光调制器件,其中每个第一子区域包括一个晶体管和一个电容器,并且每个第二子区域包括一个晶体管和一个电容器。
9.根据权利要求1所述的光调制器件,其中所述驱动电路基板包括多个单位单元区域,
其中所述多个单位单元区域中的每个包括一条字线和与所述一条字线交叉的两条位线,
其中所述两条位线中的第一位线电连接到所述多个反射器中的一个反射器,并且所述两条位线中的第二位线电连接到所述多个纳米天线中的一个纳米天线。
10.根据权利要求1所述的光调制器件,其中所述有源层包括多个有源区,并且所述多个反射器中的第一反射器位于所述多个有源区中的第一有源区下面,并且所述多个纳米天线中的第一纳米天线位于所述第一有源区上方,
其中所述第一有源区、所述第一反射器和所述第一纳米天线一起构成一个单位器件。
11.根据权利要求10所述的光调制器件,包括所述单位器件的阵列。
12.根据权利要求10所述的光调制器件,其中所述光调制器件配置为
相对于所述第一有源区,独立地向所述第一反射器和所述第一纳米天线中的每个施加电压,或者
独立地向所述第一有源区、所述第一反射器和所述第一纳米天线中的每个施加电压。
13.根据权利要求1所述的光调制器件,其中所述光调制器件配置为独立地向所述多个反射器中的每个反射器施加电压,并配置为独立地向所述多个纳米天线中的每个纳米天线施加电压。
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