[发明专利]包括非有源鳍和分隔区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有从其突出的多个鳍的衬底，所述多个鳍包括多个有源鳍以及设置在所述多个有源鳍中的有源鳍之间的至少一个非有源鳍；

至少一个栅电极，与所述有源鳍的至少一部分交叉；以及

多个源极/漏极区，与所述至少一个栅电极相邻地设置在所述有源鳍上并且通过所述至少一个非有源鳍彼此分开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个鳍具有均一的相同节距。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个鳍中的相邻鳍之间的间隔相同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述非有源鳍的最上端设置在比所述多个源极/漏极区的最下端的水平高的水平处。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个非有源鳍的最上端设置在比所述多个有源鳍的最上端低的水平上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个非有源鳍的最上端设置在比所述至少一个栅电极的最下端的水平高的水平上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个源极/漏极区的侧表面与所述至少一个非有源鳍的侧表面接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括器件分隔层，所述器件分隔层在所述多个鳍中的鳍之间并且包括与所述至少一个非有源鳍不同的材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述至少一个非有源鳍的下端设置在比所述器件分隔层的下端的水平低的水平处。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述至少一个非有源鳍的上端设置在比所述器件分隔层的上端的水平高的水平处。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个栅电极包括共线的第一栅电极和第二栅电极，以及其中所述半导体器件还包括插置在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的栅极分隔图案。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述栅极分隔图案与所述非有源鳍的上表面和侧表面接触。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述栅极分隔图案的下端设置在比所述非有源鳍的上端低的水平处。

14.根据权利要求11所述的半导体器件：

其中所述第一栅电极和所述第二栅电极部分延伸到所述栅极分隔图案的下部；以及

其中所述栅极分隔图案的下表面与所述第一栅电极和所述第二栅电极接触。

15.一种半导体器件，包括：

其中有P阱和N阱的衬底；

设置在所述P阱中的P型有源鳍；

设置在所述N阱中的N型有源鳍；

与所述N型有源鳍交叉的第一栅电极；

与所述P型有源鳍交叉的第二栅电极；

设置在所述N型有源鳍上的第一源极/漏极区；

设置在所述P型有源鳍上的第二源极/漏极区；以及

至少一个非有源鳍，设置在所述P型有源鳍与所述N型有源鳍之间并且在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述至少一个非有源鳍与所述P阱和所述N阱之间的界面相邻。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述至少一个非有源鳍包括分别在所述P阱和所述N阱中的第一非有源鳍和第二非有源鳍。